PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПЕТРОВ БОРИС КОНСТАНТИНОВИЧ

Изобретатель ПЕТРОВ БОРИС КОНСТАНТИНОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя

Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя

  1»1 459747 Оп ИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Согетси.х Социалистических Респчблик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 09.02.73 (21) 1882057/26-25 с присоединением заявки Ме— (32) Приоритет— Опубликовано 05.02.75. Бюллетень Ме 5 Дата опубликования описания 28.04.75 (51) М. Кл. G 0lr 31/26 Гасударственный комитет Совета Министров СССР (53) УДК 621.382.2 (088...

459747

Устройство для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный пробой

Устройство для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный пробой

  Союз Советских Социалистииеских Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (11) 603924 2 (51) М. Кл Ст 01 Ц 31/26 (22) Заявлено 24 09 74 (21)2061694/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.04 78.Бюллетень №1(45) Дата опубликования описания 29.03.78 Государстаеииый комитет Соавта Мииистроа СССР п...

603924

Способ демонтажа диафрагмтурбины

Способ демонтажа диафрагмтурбины

  Союз Советских Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (111802566 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.03.79 (21) 2756166/24-06 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл. F 01 D 25/24// F01 D 9/02 Государственный комитет Опубликовано 07.02.81. Бюллетень № 5 (53) УДК 621.165 (088.8) по делам изобретений...

802566

Устройство для измерения параметров транзисторов вч и свч- диапазонов

Устройство для измерения параметров транзисторов вч и свч- диапазонов

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ ВЧ-И СВЧ-ДИАПАЗОНОВ , содержащее последовательно соединенные возбуждающий генератор, измеритель проходящей мощности, разъем ДЛЯ подключения испытуемого транзистора и оконечный измеритель мощности , при этом к входной клемме разъема ДЛЯ подключения испытуемого транзистора подсоединен первый дроссель, а к выходной - второй дроссел...

1125560

Мощная свч-транзисторная структура

Мощная свч-транзисторная структура

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике, з частности к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. Цель изобретения - повышение максимальной рабочей частоты и коэффициента усиления по мощности транзисторной структуры за счет снижения паразитной емкости контактной площадки. Для этого ширина канавок, протравленных в контактных площадках для уменьшения площади обкладки параз...

1741190