Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя

Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1»1 459747

Оп ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Согетси.х

Социалистических

Респчблик (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 09.02.73 (21) 1882057/26-25 с присоединением заявки Ме— (32) Приоритет—

Опубликовано 05.02.75. Бюллетень Ме 5

Дата опубликования описания 28.04.75 (51) М. Кл. G 0lr 31/26

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.382.2 (088,8) па делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения H Г. Коробков, Г. К. Коробков, Б, К. Петров и В. С. Горохов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ВТОРИЧНОГО

ПРОБОЯ

Изобретение относится к электронной технике и применимо при контроле и проверке электрических параметров транзисторов различных типов для их защиты от вторичного пробоя.

Известен способ защиты транзисторов от вторичного пробоя, заключающийся в том, что последовательно с проверяемым транзистором включают первичную обмотку дифференцирующего трансформатора. Предварительно выбирают значение производной коллекторного тока по времени, т, е. устанавливают порог, при котором должна сработать защита.

В момент резкого возрастания коллекторного тока и приближения величины его производной к заранее выбранной, во вторичной обмотке трансформатора наводится э. д. с. самоиндукции — управляющий сигнал, который пропорционален величине производной коллекторного тока по времени. Полученный управляющий сигнал усиливают дифференциальным усилителем и подают на исполнительный орган, который отключает источник коллекторного питания от проверяемого транзистора.

Недостаток известного способа состоит в том, что нет определенного критерия выбора фиксированного значения производной коллекторного тока по времени, при котором происходило бы срабатывание системы защиты для каждого транзистора, вследствие чего возникает большая неточность отключения транзистора в начальный момент вторичного пробоя (т. е, преждевременное отключение или

5 отключение с опозданием), что снижает надежность защиты.

Цель изобретения — повышение надежности и автоматическое отключение испытуемого транзистора в начальный момент вторичного

10 пробоя.

Поставленная цель достигается благодаря тому, что на вход испытуемого прибора подают возрастающее пилообразное напряжение и в момент, когда одновременно производные

15 напряжения коллектор — эмиттер по току коллектора и по времени равны нул1о, формируют управляющий импульс.

Начальный момент вторичного пробоя характеризуется равенством нулю производной

20 напряжения коллектор — эмиттер испытуемого У транзистора по току коллектора = О.

Для отключения в начальный момент необходимо получить управляющий импульс в мосту мент =О. Однако зависимость 1„(U,) к безвременная. Для получения управляющего импульса отключения испытуемого транзисто30 ра от питающего напряжения необходимо по459747

Предмет изобретения

Составитель А. Авдонин

Корректор О. Тюрина

Техред О. Гуменюк

Редактор Т. Орловская

Заказ 948/14 Изд. М 463 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-)5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 лучить временную зависимость изменения напряжения коллектор — эмиттер. Для этой цели необходимо иметь питающий источник возрастающего напряжения (например, по пилообразному закону). В этом случае оказывается, что производные напряжения коллектор — эмиттер по току коллектора и по времени одновременно равны нулю в момент вторичного пробоя к — э I к-э — = 0. (I) пр пр

Действительно, исследования показали, что выходная характеристика транзистора со вторичным пробоем имеет участок с отрицательным сопротивлением.

При подаче возрастающего напряжения питания напряжение U„„сначала монотонно возрастает, а затем в момент вторичного пробоя (t=t p) резко падает, в результате чего

ИЦ в этот момент меdt няет знак при

Rrc э + ЖЯк-э + ЛЯк — э - — — О, (2) к — э к — э

=э, (3) где t=t есть корень уравнения (2), т. е. момент вторичного пробоя.

Таким образом, используя условие (3), можно создать метод защиты транзисторов, 5 позволяющий вырабатывать импульс напряжения в момент начала вторичного пробоя, необходимый для запуска системы защиты и отключения высокого напряжения U„от испытуемого транзистора, путем дифференциро10 вания U„по времени.

15 Способ защиты транзисторов от вторичного пробоя при многократных испытаниях путем отключения испытуемого транзистора при подаче на вход исполнительного органа управляющего импульса, отличающийся тем, 20 что, с целью повышения надежности и автоматического отключения испытуемого транзистора в начальный момент вторичного пробоя, на испытуемый прибор подают возрастающее пилообразное напряжение и в момент, когда од25 новременно производные напряжения коллектор — эмиттер по току коллектора и по времени равны нулю, дормируют управляющий импульс.