Шерстяков А.П.

 Способ изготовления монолитного электролюминесцентного экрана путем выращивания на полупроводниковых подложках эпитаксиальных p-n-p-n-слоев твердых растворов с заданным профилем ширины запрещенной зоны, убывающей к среднему p-n-переходу, с использованием маскирования и диффузии примеси, отличающийся тем, что, с целью получения изображения с преобразованием света из длинноволнового в корот...

 Электролюминесцентный экран матричного типа на прозрачной подложке с металлизированной областью, образующей общий контакт, выполненный на основе полупроводниковых материалов и их твердых растворов и излучающий свет в видимой области спектра, отличающийся тем, что, с целью получения многоцветного изображения информации, элемент светодиодной матрицы состоит из набора p-n-переходов, располож...

 Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.