Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур
Патент 513562
Авторы
Классы МПК
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур
Реферат
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.