Энтин М.В.
Изобретатель Энтин М.В. является автором следующих патентов:
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур
Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.
513562