ЛИФШИЦ ИЛЬЯ ЕФИМОВИЧ

  О П И С А Н И Е (и) 464790 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.01.73 (21) 1872400/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 25.03.75. Бюллетень № 11 Дата опубликования описания 26.06.75 (51) М. Кл. б Olj 1. 04 Государственный комитет Совета Министров СССР по...

  ОЛ ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (ii)815437 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 06.11.77 (21) 2073115/29-33 (51) М. Кл з с.присоединением заявки №вЂ” F 27 В 5/04 Гесударстеенный комитет СССР (23) Приоритет— (53) УДК 621.783. .244- 82 (088.8) Опубликовано 23.03.81. Бюллетень № 11 Дата опубликован...

  Союз Советсккн Социалистическик Рест1ублик ОП ЙСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А|тОвеиОмм свидительСтВ 1 и 9О()392 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 2Ц0430 (21)2917574/24-07 с присоединением заявки М(23) Прнорнтет(51)М. Кл. Н 02 Р 5/Э6 ГввуднрстненыИ квинтет СССР an делам нзобретеннй н отярытнй Опубликовано 230 1.82. Бюллетень И3 (53) УДК621 316 .718(088.8) Дата опуб...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (63) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14 ° 01. 80 (21) 2869041/25-28 . (5$) М. Кд.з В 25 В 29/02 с присоединением заявки ¹ (23) Пркоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 883 (0 88 ° 8) Опубликовано 2307.82. Бюллетень ¹ 27 Дата оп...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ае (fl)! щр 6 01 Й 2 /201 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНЯТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ З К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ . " " "".: 6„. (21) 3396113/18".25 (22) 09.02.82. (46) 30.07.83. Бюл, М 28 (72) И.Е.Лифшиц, Ф.П.Резников, В.М.Дымшиц, Н.И.Сосфенов, Ю.H.éîáèтов и Л,A.ÔÜéãéí (56) 1. Авторское свидетельство СССР. N...

  1. УСТАНОВКА ДЛЯ СВАРКИ ДАВЛЕНИЕМ МАТЕРИАЛОВ В ТВЕРДОЙ ФАЗЕ, содержащая силовую раму, установленный на ней механизм сжатия, силовой шток, выпелненный из оптически прозрачного материала и соединенный муфтой с механизмом сжатия, и термоизмерительное устройство, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества соединения путем повышения точности контроля температуры и плошади зоны...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУ6ЛИК ГОСУААРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР (19) (Иl (Я) 4 В 23 К 20 26 (21 ) 3785540/25"27 (22) 30.08.84 (46) 23.02.86.. Бюл. Ф 7 (72) Е.А. Степанцов, 10.M. Дьваииц, Э.Я. Станишевский, В.P. Гегель, И.E. Лифшиц, В.Б. Браиловский и В.M. Куликов (53) 621.791.66,03 (088.8) (56) Казаков Н.Ф., Диффузионная сварка материалов. M.: Машиностроение, 1976, с....

  Изобретение относится к оборудованию для диффузионной сварки и может быть использовано для получения крупногабаритных деталей из кристаллов. Цель изобретения - расширение номенклатуры свариваемых деталей. Установка содержит вакуумную камеру с расположенными в ней нагревателем с токовводами и системой тепловых защитных экранов, полым пуансоном, установленным на штоке в ее нижней ч...

  Изобретение относится к оборудованию для диффузионной сварки и может быть использовано в различных отраслях промышленности. Цель изобретения - повышение качества изделий и упрощение конструкции. Установка содержит вакуумную камеру, нагреватель, вертикальные тепловые экраны и токовводы. Вакуумная камера выполнена из двух разъемных секций. Вертикальные экраны снабжены опорными элеме...

  Изобретение может быть использовано в электронной технике для получения полупроводниковых структур и обеспечивает ускорение процесса. Устройство содержит обогреваемый подложкодержатель для подложки , на поверхность которой нанесена пленка поликристаллического кремния. Напротив подложкодержателя размещены источник излучения и система фокусировки . Система фокусировки содержит соби...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов, а более конкретно к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава,и обеспечивает увеличение стабильности скорости перемещения кристаллодержателя при, стях вытягивания кристаллов порядка 0.1-Ю ММ /Ч. УСТРОЙСТВО СОСТОИТ ИЗ K5VOpb с нагревателем и тиглем, датчикз с ссь; кристалла или тигля с блоком регулироряч...

  Сущность изобретения: установка содержит рабочую камеру 1 и вакуумпровод 3 с несколькими патрубками 5. Оси патрубков расположены в одной плоскости, перпендикулярной оси вакуумпровода. На патрубках установлены высоковакуумные насосы 7 с затворами 8. Диаметр вакуумпровода соответствует зависимости DB 1114VO/I- 2 Si Ui/Si + Ui. 2 ил. i 1 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛ...