ГОРДИЕНКО ЛЕОНИД АЛЕКСАНДРОВИЧ
Изобретатель ГОРДИЕНКО ЛЕОНИД АЛЕКСАНДРОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ получения материала для ультрафиолетового светофильтра
ОП ИСАЙИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ т) 1) 474775 Союэ Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.04.73 (21) 1902115/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 25.06.75. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 25.09.75 (51) М. Кл. G 02Ь 5/22 1осударственный KOINHTBT Совета в4ииистров СССР по делам...
474775
Способ оценки качества кристаллов
007694l5 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Саюэ Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.07.78 (21) 2639764j18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.10.80. Бюллетень № 37 (45) Дата опубликования описания 07.10.80 (51) М. Кл.э G 01N 21/l7 Государственный комитет СС,СР (53) УДК 535.8(088....
769415
Способ получения мелкокристаллического @ -кварца
Изобретение относится к способам получения мелкокристаллического α - кварца и позволяет увеличить размер его кристаллов. Способ заключается в термопаровой обработке аморфного диоксида кремния при температуре 300 - 500°С и давлении паров воды 100 - 300 атм в течение 1 - 5 сут в присутствии активатора кристаллизации золя кремниевой кислоты в количестве от 0,01 до 5% от мас...
1528730
Способ определения концентрации радиационных дефектов в полупроводниках и изоляторах
Использование: исследование материалов . Сущность изобретения: образец облучают пучком поляризованных положительно заряженных мюонов, помещают в магнитное поле, снимают временной спектр позитронов от распада мюонов и в качестве параметров прецессии выбирают коэффициент асимметрии и скорость релаксации спина мюона и мюония. 1 ил., 1 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ социдлистических РЕСПУ...
1746270