Суетин Н.В.(RU)

 Изобретение относится к источникам света высокой яркости. Катодолюминесцентный источник света состоит из вакуумированного корпуса с прозрачным экраном. На прозрачном экране расположен токопроводящий слой, являющийся анодом. На токопроводящий слой нанесен люминофор. Внутри корпуса напротив токопроводящего слоя расположен фотокатод, который выполнен плоским. Между катодом и экраном приложен...

 Изобретение предназначено для создания датчиков на основе технологий микроэлектроники и вакуумной электроники. Датчик содержит чувствительный элемент с подсоединенными к нему контактами. Чувствительный элемент выполнен в виде одного подвижного электрода холодноэмиссионного диода. Холодноэмиссионный диод состоит из вакуумированной камеры и размещенных в ней напротив друг друга анода и холо...

 Предлагаемый способ осаждения вещества на поверхность подложки относится к области осаждения пленок на подложки, в том числе к способам осаждения однородных алмазных пленок на подложки большой площади. Предлагаемый способ заключается в том, что из генерируемой плазмы через выполненную в плоском аноде, по крайней мере, одну щель, на подложку, расположенную под анодом параллельно ему, осуще...

 Изобретение относится к области получения высокоэффективных пленок для полевых эмиттеров электронов, которые могут быть использованы для создания плоских дисплеев, в электронных микроскопах, СВЧ-электронике, источниках света. В предлагаемом холодноэмиссионном катоде, содержащем подложку с нанесенной на нее углеродной пленкой, углеродная пленка выполнена в виде нерегулярной структуры, сост...

 Изобретение относится к источникам света и заключается в том, что в автоэмиссионном источнике света, содержащем подсоединенные к источнику питания нанокристаллический автоэмиссионный катод и экран, между автокатодом и экраном расположена вытягивающая электроны сетка. Экран выполнен в виде диэлектрической подложки с нанесенным на нее слоем люминофора. Люминофорный экран может иметь одинако...

 Изобретение относится к электронике, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями. В предлагаемом автоэмиссионном триоде, содержащем анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2 - 6 В/мкм, а зазор D между катодом и анодом...