PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШАПОВАЛОВ ВИТАЛИЙ ПАВЛОВИЧ

Изобретатель ШАПОВАЛОВ ВИТАЛИЙ ПАВЛОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах

Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах

  ОО 502282 ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.09.73 (21) 1960124/25-28 с лрисоединеныем заявки № (23) Приоритет Опубликовано 05.02.76. Бюллетень № 5 Дата опубликования описания 22.04.76 (51) М, Кл 2 G 01N 3/00 Государственный комитет Совета Министров СССР ао делам из...

502282

Инструмент для ультразвуковой приварки проволочных выводов

Инструмент для ультразвуковой приварки проволочных выводов

  < >6I72I0 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ N аВТОРСКО У СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. спид-ву— (22) Заявлено 08.07.75 (21) 2153688 25-27 (5! ) М.Кл.- В 23 К 19/04 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.07.78. Бюллетень № 28 (45) Дата опубликования списания 30.05.78 Государственный комитет Совета Минист...

617210

Капсюль конденсаторного микрофона

Капсюль конденсаторного микрофона

  Изобретение относится к емкостным электроакустическим преобразователям, в частности к конденсаторным микрофонам и позволяет получить миниатюрный микрофон с равномерной частотной характеристикой в заданном диапазоне звуковых частот. Целью изобретения является улучшение качества характеристик капсюля путем увеличения термостабильности и равномерности его частотной характеристики. Ка...

1474869

Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии

Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии

  Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, и частности к способу контроля пористости диэлектрических пленок, может быть использовано для контроля дефектности пленок SiOЈ в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИС по планарной технологии. Цель изобретения - повышение точности и экспрессности контроля пористости диэлектрической пленки с возможностью ко...

1649616