Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах

Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОО 502282

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.09.73 (21) 1960124/25-28 с лрисоединеныем заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05.02.76. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 22.04.76 (51) М, Кл 2 G 01N 3/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий

531 812 (088.8) (72) Авторы изобретения

П. И. Баранский, П, Н. Галкин, В. А. Климов, В. В. Коломоец, Д. И. Левинзон и В. П. Шаповалов (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ВНУТРЕННИХ НАПРЯ)КЕНИИ В

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ

Формула изобретения

Изобретение относится к области исследования механических характеристик материалов и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления электронных приборов.

Известен способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых материалах, в частности в монокристаллах, при котором параметры испытуемого образца, например параметры его кристаллической решетки, определяют рентгеноструктурным методом и сравнивают их с параметрами контрольного образца из того же материала, для которого внутренние напряжения известны.

Однако известный способ дает возможность получать лишь приближенную количественную оценку. К тому же он обладает низкой чувствительностью при небольших величинах внутренних напряжений.

Цель изобретения — повышение точности и чувствительности способа.

Это достигается тем, что испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направления, измеряют величину удельного электросопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия, и по средней величине смещения линейного участка этой зависимости для испытуемого образца относительно линейного участка той же зависимости, снятой для контрольного образца, судят об отношении напряжений в этих образцах.

На чертеже изображены графики исследуеЬ мых зависимостей. Согласно предложенному способу контроль осуществляется путем измерения для сравниваемых образцов зависимости удельного сопротивления от приложенного внешнего механического напряжения при

1О одноосном сжатии. Затем для каждого образца строят график этой функции, как показано на чертеже. На кривых 1 и 2, соответствующих двум разным образцам, контрольноM) и испытуемому, выделяют линейные участ15 ки 3 и 4 и определяют среднюю величину смещения для точек 5 и 6, соответствующих одной и той же величине удельного сопротивления на обеих кривых. По этой величине смещения судят о разнице напряжений в об20 разцах.

Таким образом, даже при небольших величинах внутренних напряжений можно получить более точные количественные оценки напряженного состояния полупроводниковых

25 кристаллов.

Способ контроля внутренних напряжений

ЗО в полупроводниковых кристаллах, при кото502282

Составитель Н. Тимошенко

Редактор Н. Петрова Техред 3. Тараненко Корректор Н. Аук

Заказ 736/3 Изд. Мз 247 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ром параметры испытуемого образца сравнивают с такими же параметрами контрольного образца из того же материала с известными напряжениями, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности способа, испытуемый образец подвергают одноосному сжатию вдоль определенного кристаллографического направлсния, измеряют величину удельного электросопротивления по этому направлению в функции от напряжения сжатия и по средней величине смещения линейного участка этой за5 висимости для испытуемого образца относительно линейного участка той же зависимости, снятой для контрольного образца, судят об отношении напряжений в этих образцах.