ГЕРАСИМЕНКО Н.Н.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ, включающий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до больших доз (более 4-10*'* см'*) и при повьппенных плотностях тока (более 4 мкА/см'^ ), отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контактов, перед внедрением на полупроводник наносят пленку металла, дающего тот же тип проводимости в полупроводнике, ч...

  СООЗ СОВЕТСКИХ СВМОМ .И . Р1..СПУБЛИН рц Н 01 L. 21/265 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР 1 (21) 2623094/25 (22) 01.06.78 (ч6) 15.07.92. Бюл. V 26 (72) Н.Н. Герасименко, В.В. Калиников, С. П. Верходанов, B. È. Федченко и С.А. Камбалин (53) 621.382.002 (088.8) . (56) Патент Великобритании 0 . 1203298,. кл. Н 1 К, опублик. 1970, . Патент Велико...

  СПОСОБ ИЗ ГО ТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий бомбардировку полупроводниковой пластины : . ионами и термообработку при темпераг. туре 670-JOOO К, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества полупррводниковых приборов и интегральных схем путем устранения образовавшихся стержнеобразных дефектов , после термообработки пров...