Талалакин Г.Н.

 (19)SU(11)1178263(13)A1(51)  МПК 6    H01L21/208(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпи...

  Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к полупроводниковым приборам, преобразующим электрическую энергию в когерентное излучение. Цель изобретения - повышение квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет стимулированного режима работы светодиода. Светоизлучающий диод содержит варизонную пленку InAsSbP n-типа проводимости и p-n-переход. Диод дополнительно сод...

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии. Цель изобретения - упрощение технологии изготовления омического контакта и сокращение времени изготовления структур. Тыльную сторону исходной подложки из арсенида индия совмещают с поверхностью пластины из инертного термостой...

 Изобретение относится к технике газового анализа и может быть использовано для определения количественного и качественного состава газовых смесей, образуемых в результате жизнедеятельности организмов или выделяемых в процессе работы различных устройств, например карбюраторных двигателей. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей газоанализатора за счет определения качестве...

 Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, системах связи. Техническим результатом изобретения является расширение диапазона излучения источника при повышенных температурах. Сущность изобретения: по первому варианту, в источник инфракрасного излучения, содержащий активную область из материала А3В5 и/или ег...