Способ изготовления полупроводниковых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур

Реферат

 

(19)SU(11)1178263(13)A1(51)  МПК ⁶    _H01L21/208(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии. Цель изобретения улучшение качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое. Примеры реализации способа. На подложках InAs (III) B и (III) A выращивают эпитаксиальные пленки InAs_0,78Sb_0,07P_0,14 (состав на гетерогранице) по режимам, представленным в таблице, где Х_In^l, X_As^l, X_Sb^l, X_P^l соответственно атомные концентрации индия, мышьяка, сурьмы и фосфора в расплаве. Время выдержки и скорость охлаждения соответственно составляют 30 мин и 0,24^оС/мин. Плотность дислокации N определяют путем подсчета ямок травления, полученных при обработке образцов в смеси: 2 мл H₂O, 8 мг AgNO₃, 1 г CrO₃, 1 мл НF (АВ травитель). Как видно из таблицы, выбор режимов за пределами указанных интервалов приводит к ухудшению качества эпитаксиальных структур InAs_1-x-ySb_xP_y.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР InAs InAs_1-x-ySb_xP_y методом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, вводят в раствор-расплав фосфор в количестве 0,11 0,19 мас. а температуру начала эпитаксиального наращивания устанавливают в диапазоне 700 730^oС.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000