C01B33/029 - разложением моносилана — все патенты категории

Способ получения моносилана и поликристаллического кремния высокой чистоты

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Технический кремний с техническим метанолом взаимодействуют в присутствии катализатора при повышенной температуре. Из продуктов реакции выделяют водородсодержащие метоксисиланы в смеси с тетраметоксисиланом. Моносилан получают каталитическим диспропорционированием водородсодержащих метоксисиланов и очищают путем адсорбции на активном...

2329196

Устройство и способ термического разложения летучих соединений элемента, выбранного из группы, включающей кремний, германий, углерод, титан, цирконий и их смеси

Изобретение может быть использовано для получения пылевидных кремния, германия, углерода, титана, циркония и их смеси, используемых в электронике. Устройство для термического разложения включает сосуд под давлением 1, реакционную трубку 2, открытый конец 2 с которой продолжается в сосуд под давлением 1, а другой конец которой расположен вне его и снабжен средством подачи газа 3. Продольная ось р...

2377065

Способ получения кремния

Изобретение относится к области химической технологии неорганических веществ и может быть использовано для получения синтетического кремния. Способ включает смешивание диоксида кремния с магнием с получением силицида магния, обработку силицида магния минеральной кислотой с получением газообразного моносилана кремния и разложение последнего при 800-1000°C с получением твердого продукта - элементно...

2445257

Способ и система для получения чистого кремния

Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана. Для получения трихлорсилана кремний реагирует с хлористым водородом в процессе гидрохлорирования. Параллельно получают реакционную смесь, соде...

2503616

Способ и устройство для получения ультрачистого кремния

Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов. Для разложения используют моносилан, который смешивают с газом-носителем, представляющим собой водород или смесь водорода с инертным газом. Последний перед смешиванием нагревают в генераторе пла...

2540644

Способ получения наноразмерных структур кремния

Изобретение относится к технологии получения чистого наноструктурированного кремния и может быть использовано в разных областях полупроводниковой техники. Наноразмерные структуры кремния получают термическим разложением моносилана, которое проводят адиабатическим сжатием смеси 10 об.% моносилана в аргоне при начальном давлении 0,095 МПа и температуре 130°С. Изобретение позволяет получать на...

2547016

Способ получения порошков из наночастиц карбида кремния, покрытых углеродной оболочкой

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу получения наноразмерных порошков карбида кремния, покрытых углеродной оболочкой. Способ заключается в том, что смесь прекурсоров: моносилана, аргона и ацетилена, в которую ацетилен вводят в количестве 2,5-15 об.%, при начальном давлении Р0=0,105 МПа и начальной температуре Τ0=170°С подвергают термическому разложению в процессе адиабатическ...

2609160

Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния на диэлектрике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам. Способ изготовления гетероэпитаксиального слоя кремния...

2646070

C01B33/029 - разложением моносилана

Патенты в этой категории