C30B9/06 - с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

)»,о (Класс 121, Б +2 -2вЂ” № 136328 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЯЬСТВУ Подписные группы ММ 45; 39 lO. M. Шашков и Н, Я, Шушлебина СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМН ИЯ Заявлено 24 мая 1960 г. за № 667742/23 в Когиитет по делам изобретени и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Б1оллетене изобретений» № 5 за 196! г. Известен способ в...

136328

Способ получения монокристаллов на основе меди,

ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 252289 Сома Советских Социалистических Реслублик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 11 V1.1968.(№ 1246589/23-26) Кл. 12с, 2 с присоединением заявки № Приоритет Комитет ло делам изобретений и открытий лри Совете Министров СССР МПК В 0141 УДК 548.55(088.8) Опубликовано 10.IV.1970. Бюллетень ¹ 14 Дата опубликования описа...

252289

Способ получения тетраиндида рубидия

1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт пом...

813979

Способ получения фторфосфата двухвалентного европия

ссюз сОВетсних СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 3005004/26 (22} 30.09.80. (46) 15.05,92. Бюл. V 18 (71} Институт геохимии и аналитической химии им.В.И.Вернадского (72) Н.С.Меликсетян, В.С.Урусов и К.И.Тобелко (53) 621.315.592(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР И 458325, кл. В 01 J 17/06, 1973. J. Мауе...

932853

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампу...

1110222

Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе @

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидоп и может быть использовано при разработке новых приемов микроэлектроники Способ включает нагрев криааплообразующих оксидов и растворителя выдержку попу енного растворарасплава и последующее охлаждение, обеспечивает увеличение размеров фисталлов в кристаллографическом направлении ( 001 Р...

1515789

Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе @

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе металлооксидов и может быть использовано при разработке новых приборов микроэлектроники. Обеспечивает увеличение выхода монокристаллов. Способ включает нагрев кристаллообразующих оксидов и растворителя, выдержку раствора-расплава и последующее охлаждение. Растворитель содержит оксид бария и меди в мо...

1522792

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала

Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводников на основе метаплооксидов и может быть использовано в микроэлектронике . Обеспечивает получение материала в виде поли1язиаалла увеличенных размеров и высокой плотностя Способ включает нагрев смеси оксидов в следующем соотношении, моп%: J О 7 - 8; ВаО 35 - 36; СиО - оаальное. Затем ведут нагрев до плавления г 12...

1526290

Способ выращивания монокристаллов титаната бария

Использование: в качестве подложки для высокотемпературных сверхпроводников . Сущность изобретения: выращивание монокристаллов (М) ведут из раствора-расплава . Исходную шихту состава, мас.%: ВаТЮз 12-25; ВаОз 8-10; KF остальное, нагревают . После выдержки ведут охлаждение со скоростью 1-5°С/ч. Получены М размером 10x10x2,5 мм. 1 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ...

1737034

Способ получения монокристаллов висмут-свинец-стронций- кальциевого купрата

Использование: получение монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Способ включает нагрев шихты следующего состава мол.м: Bi2O3 19,85-20,62 PbO4,41-4,58; SrCO3 31,75-32,24; Ca-CO3 13,56-13,82; CuO остальное. Затем проводят гомогенизацию расплава и его кристаллизацию (К) при охлаждении в интервале (Д) 880-892°С на платиновом кристаллодержателе. По истечении 3-4°С от начала К ее...

1833659

Способ получения монокристаллов соединения двойного бората бария-редкоземельного элемента

Использование: в электронной технике. Способ включает спонтанную кристаллизацию раствора-расплава шихты, содержащей ингредиенты в следующем молярном соотношении: ВаСОз:УЬ20з:НзВОз:ВаС12 3:1:4:1. Кристаллизацию ведут от 1200°С со скоростью охлаждения 20-100° с/ч. Получены монокристаллы ВазУБ(ВОз)з, обладающиепироэлектрическими и нелинейно-оптическими свойствами. Оп...

1838457

Способ получения монокристаллов

Использование: в области электронной промышленности для получения высокотемпературных сверхпроводников-ВТСП. Способ включает выращивание монокристаллов YBa2Cu3O7-б (К) из раствора-расплава состава (мас. % ) : BaCu2O2 60 - 95 и CuO 5 10. Температура процесса 820 - 830С. Получены К размером 550,01 мм3. Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристал...

2013474

Способ безтигельного получения монокристаллов yba2cu3o 7-

Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников. Целью изобретения является увеличение линейных размеров монокристаллов и повышение процента их выхода. Изобретение сводится к тому, что используется безтигельный способ получения монокристаллов YBa2Cu3O7- с применением диффузионных пар состава: смесь Y2BaCuO5+Ba3Cu5O8-

2038430

Высокотемпературный сверхпроводящий материал и способ его получения

Изобретение относится к новым высокотемпературным сверхпроводникам (ВТСП) и может найти применение в областях техники, использующих сверхпроводники. Сущность изобретения: синтезирован ВТСП формулы Tl1,85Ba2Ca0,02Cu1,15O6 получение которого ведут в воздушной атмосфере, расплавляя шихту, содержащую Tl2O3 СаО, BaO2 и CuO в соотношении 1 1 2 2, разогревая расплав до 980 990°С с последующим о...

2051210

Способ выращивания монокристаллов yba2cu3o7-

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников YВа2С3О7-б из высокотемпературных растворов, включающий нагрев исходной смеси оксидов Y2О3, ВаО2 и СuО до плавления, гомогенизацию раствора-расплава, охлаждение до температуры роста и выращивание при постоянной температуре. В начале процесса образуют питатель на дне тигля и ведут перекристаллиз...

2064023

Способ получения монокристаллов соединения сложного висмутсодержащего оксида

1. Способ получения монокристаллов соединения сложного висмутсодержащего оксида, включающий смешивание оксида висмута с оксидным соединением металла, нагрев смеси до плавления, выдержку расплава и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве оксидного соединения металла используют оксидное соединение щелочно-земельного элемента при мольном соотношении оксида висмута к оксидному соединению...

2078450

Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе bi2sr2cacu2o8

Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности Bi2Sr2CaCu2O8 для использования в качестве активных элементов СВЧ- техники, работающих на основе эффекта Джозефсона. Способ получения сверхпроводящих монокристаллов на основе соединения Bi2Sr2CaCu2O8 включает расплавление шихты, состоящей из оксидов и карбонатов, с последующей криста...

2090665

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17;...

2119976

Способ получения монокристаллов калий титанил арсената ktioaso4

Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения. Способ заключается в том, что при получении монокристаллов КТА на затравку охлаждением раствора-расплава из собственных арсенатных флюсов в системе K2O - TiO2 - As2O5 используют расплав с мольным соотношени...

2128734

Способ выращивания крупных совершенных кристаллов трибората лития

Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Готовят шихту состава, определенного областью АВС диаграммы трехкомпонентной смеси Li2О-В2О3-МоО3, где координаты составов определены следующими точками, мол. доли: A: Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B: Li2O - 0,20; В2O3 - 0,20; МоО3 - 0,60; С: Li2O - 0,3; В2О3 - 0,13; МоО3...

2262556

Подложка для эпитаксии (варианты)

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств. В изобретении раскрыт объемный монокристалл нитри...

2312176

C30B9/06 - с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

Патенты в этой категории