Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

)»,о (Класс 121, Б

+2 -2— № 136328

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЯЬСТВУ

Подписные группы ММ 45; 39

lO. M. Шашков и Н, Я, Шушлебина

СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КАРБИДА КРЕМН ИЯ

Заявлено 24 мая 1960 г. за № 667742/23 в Когиитет по делам изобретени и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б1оллетене изобретений» № 5 за 196! г.

Известен способ выращивания монокристал1013 карбида кремния в атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава, С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлоз карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплав;1 кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме при постоянной температуре расплава 1600 (вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллическ1гй кремний загружают в графитовый тигель, покрытый пироуглеродом и помещают последний в герметичнуlо камеру снабженную танталовым нагревателем.

Затем в камере создают вакуум и включают обогрев. При нагрезе расплава до 1600 и диаметре тигля 20 л1л одна треть кремния испаряется за два часа. Охлаждение расплава после выдержки при 1600 производят быстро со скоростью 100 — 200 в минуту. Полученные таким способом кристаллы карбида кремния яьляются более совершенными и чистыми, .ем при плавке в атмосфере аргона.

Предмет изобретения

Сносоо 13blp3llIIIBkl HHSI мои ок1>иста, I 1013 ка 1>бида1 к1>емни я из pklcTI30II II углерода в расплавленном кремнии, о т л и I а 1о шийся тем, что, с целью упрощения процесса, его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пересыщение раствора.