C30B29/36 - карбиды — все патенты категории

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

)»,о (Класс 121, Б +2 -2вЂ” № 136328 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ4ЕТЕЯЬСТВУ Подписные группы ММ 45; 39 lO. M. Шашков и Н, Я, Шушлебина СПОСОБ ВЫРАШИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМН ИЯ Заявлено 24 мая 1960 г. за № 667742/23 в Когиитет по делам изобретени и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Б1оллетене изобретений» № 5 за 196! г. Известен способ в...

136328

Способ выращивания монокристаллов карбидакремния

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 253778 Союа Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 12.11.1968 (№ 1216892/22-1) Кл. 12g, 17/30 с присоединением заявки № МП1х В 011 Приоритет Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень ¹ 31 Дата опубликования описания 22.IV.1970 KoNkT8T по делам иаобретений и открытий при Совете Министров СССР У...

253778

Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния

СГ OJO3 H A R ;1ут16 : ° МЬ4 ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ПАТЕНТУ 384208 Союз Советских Социалистических Республик Зависимый от патента № вЂ”М,Кл. В Olj 17/22 Заявлено 21.Ч!1.1970 (№ 1462682/23-26) Приоритет 04 ЧП1.1969, № 11760/69, Швейцария Котситет ао делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК 669-172:546.28 2.61 (088.8) Опубликовано 23.Ч.1973. Бюллетень № 24...

384208

Патент ссср 396862

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Респубгик К ПАТЕНТУ Зависимый от патента ¹â€” М. Кл. В 01 j 1 7/28 С 01 b 31 36 Заявлено 12.V.1971 (¹ 1658471/23-26) Приоритет 14Л .1970. Ле 7191/70, Швейцар:.!я Гасударственный комитет Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий УДК 546.28 261 (088.8) Опубликовано 29.VI11.1973. БюллетI.III, Л2а 36 Дата опубликовз...

396862

Патент ссср 401042

О П И С А Н И Е 40I042 ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ Союз Советских Социалистических Республик Х ПАТЕНТУ Зависимый от патента МвЂ” М,Кг!. С 01Ь 31. 36 В 01) 17,"28 Заявлено 19.Ч.1971 (Ме 1661466/23-26) Государстве!!ный комите Совета )иинистров ССП tto делам изобретений и открытий Приоритет ()5Л 1.1970, N. 8424/70, 111в !!ня1!и>-! Онублнков-tttn 01.Х.1973. Б!Ог)лс тень М 40 УДК 546.28:261....

401042

Способ выращивания монокристаллического sic

Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 - 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника. Изобретение относится к области получ...

882247

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или герма...

913762

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе карбида кремния, таких как силовые вентили, лавиннопролетные диоды, силовые транзисторы. Цель изобретения - повышение морфологического и структурного совершенства слоев. Способ включает конденсацию паров источника карбида кремния на подложку карбида...

1398484

Способ определения скорости роста эпитаксиального слоя s @ с

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано для изучения процесса роста эпитаксиальных слоев. Цель изобретения - повышение точности определения скорости роста. Способ включает определение скорости роста эпитаксиального слоя SIC, выращенного на подложке из раствора-расплава SIC за фиксированный промежуток времени. При выращивании слоя в ра...

1590484

Способ выращивания кристаллов карбида кремния и устройство для его осуществления

Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из паровой фазы и может быть использовано для выращивания относительно крупных объемных кристаллов карбида кремния α-модификации. Способ позволяет повысить производительность процесса. Кристаллы SIC выращивают путем сублимации исходной шихты из зоны загрузки на затравку, расположенную на фронте кристаллизации в заданном...

1663060

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют пред...

1695709

Способ эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев кубического s @ с

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...

1710604

Способ выращивания карбидкремниевых р-п-структур политипа 6н

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к созданию карбидкремниевых р-п-структур, которые используют для создания высокотемпературных приборов: выпрямительных диодов, стабилитронов, полевых транзисторов с управляющим р-п-переходом, и позволяет повысить выход годных структур. Выращивают жидкофазной эпитаксией карбидкремниевые р-п-структуры политипа 6Н из...

1726571

Полупроводниковый материал

Изобретение относится к твердотельной электронике, конкретно к технологии получения монокристаллических твердых растворов на основе карбида кремния. Материал на основе эпитаксиальных слоев гетеровалентного твердого раствора имеет состав (SiC)i-x(Nbc)x, где О Х {. Ширина запрещенной зоны меньше, чем у карбида кремния. Материал имеет радиационную и химическую стойкость и стабильнос...

1730219

Полупроводниковый материал

Использование: твердотельная электроника . Полупроводниковый материал на основе эпитаксиальных слоев твердого раствора имеет состав: (SiC)t-x(ZrC)x, где О X 1. Материал получают путем непосредственного высокотемпературного контакта кристаллических пластин SIC и 2гС. Материал может работать в химически агрессивных средах. Достигнуто уменьшение ширины запрещенной зоны. Возможно упр...

1819922

Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа

Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение друг напротив друга испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности по меньшей мере одного затравочного монокристалла карбида кремния заданного политипа, образующих зону роста...

2094547

Способ получения эпитаксиальных слоев карбида кремния (варианты), структура карбида кремния (варианты)

Использование: изобретение относится к способу попучения эпитаксиальных слоев карбида кремния, которые являются по существу свободными от дефектов в виде микротрубочек. Способ включает рост эпитаксиального слоя карбида кремния на подложке из карбида кремния путем жидкофазной эпитаксии из расплава карбида кремния в кремнии и в элементе, который увеличивает растворимость карбида кремния в р...

2142027

Монокристаллический sic и способ его получения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного элемента, силового прибора и т.д. Два комплекса М, а каждом из которых поликристаллическая пленка 2-SiC (или - SiC) выращивается на поверх...

2154698

Способ и устройство для изготовления монокристаллов карбида кремния путем сублимационного выращивания

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Реакционную камеру 2 окружают газонепроницаемой стенкой 20, которая по меньшей мере на обращенной к реакционной камере 2 внутренней стороне 21 состоит из изготовленного CVD-способом карбида кремния. По меньшей мере часть карбида кремния стенки 20 сублимируют и наращивают на зародышевом кристалле 3 в качестве монокристалла...

2155829

Драгоценные камни из карбида кремния

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности. Синтетические драгоценные камни, имеющие чрезвычайный блеск и твердость, изготавливаются из больших одиночных кристаллов полупрозрачного карбида кремния одного политипа с относительно низким содержанием примесей. Кристаллы в...

2156330

Способ изготовления монокристаллов карбида кремния

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: при высоких избыточных давлениях порошок SiC или другой исходный материал растворяют в растворителе и наращивают на затравочном кристалле. Способ позволяет изготавливать объемные монокристаллы карбида кремния. 12 з.п.ф-лы. Изобретение относится к способу изготовления монокристаллов карбида кремни...

2157864

Монокристаллический карбид кремния и способ его получения

Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический -SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы поликристаллический слой -SiC. Температура осаждения 1300-1900°С. Комплекс монокристалл -SiC-поликристалл -SiC подвергают термообработке под...

2160227

Монокристаллический sic и способ его получения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение . На поверхности 1а монокрист...

2160327

Монокристалл sic и способы его получения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или более, на поверхности монокристаллического -SiC базового материала посредством напыления высококачественным магнетроном или термохимически...

2160328

Монокристалл sic и способ его получения

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической -SiC пластины на поверхности монокристаллического -SiC базового материала с плотным контактом через отполированную поверхность или получен путем химического парового осаждения, затем подвергнут тепловой обработке при температуре в диапазо...

2160329

C30B29/36 - карбиды

Патенты в этой категории