Способ выращивания монокристаллов карбидакремния

Способ выращивания монокристаллов карбидакремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

253778

Союа Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12.11.1968 (№ 1216892/22-1) Кл. 12g, 17/30 с присоединением заявки №

МП1х В 011

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания 22.IV.1970

KoNkT8T по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УД1х 669-172.002.2 (088.8) Авторы изобретения

Заявитель

М. Б. Рейфман, В. И, Ионов, О. А. Колосов и Н. К. Прокофьева

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллнческой промышленности

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА

КРЕМНИЯ

Предмет изобрстcíèë

Известен способ выр ащив ания монокрпсталлов карбида кремния перекристаллизацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.

По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10 - — 10" раз. При перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим ооразом. Исходный материал, легированный предварительно германием, нагревают в атмосфере аргон а при тем пер атуре — 2500 С в условиях температурного градиента. Германий, находящийся в исходном материале, оор азует с большинством присутствующих в карбиде кремния акцепторных примесей летучие соединения, имеющие величину упругости пара, большую на несколько порядков величины упругости пара карбида германия, и связи с чем летучие примеси удаляются из зоны кристаллизации в более холодные зоны аппарата, в котором производится выращпва5 нпе. Благодаря этому концентрация акцспторны; примесей в выращивасмых монокрнсталлах карбида кремния становится пc÷ñзающе малой. Выращенные монокрпсталлы имеют подвижность носителей тока до

10 475 сл -, сек.

Способ выращивания монокрпсталлов кар15 бида кремния перекристаллизацпсй исходного легированного поликристаллического м атсрпала через газовую фазу, отличаюп1пйг» тем, ITQ, с цель1о повышения чистоты выращпваемых монокрпсталлов, используют пс20 ходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в псм акцепторных примесей в 10 - — 10:: раз.