C30B11/04 - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Способ выращивания монокристаллов марганец-цинкового феррита

Способ выращивания монокристаллов марганец-цинкового феррита. Использование: выращивание кристаллов для магнитных головок. Сущность изобретения: исходный материал плавят в тигле. Выращивают кристалл на заправку при периодической подпитке гранулами, подаваемыми из питателя. Регулируют температуру нагрева питателя по времени плавления гранул. Дан расчет этому времени. Получают монокристаллы...

1746759

Способ получения окрашенных кристаллов берилла

Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности. Цель изобретения - повышение выхода кристаллов ювелирного качества. Поставленная цель достигается тем, что в способе получения окрашенных кристаллов берилла используют шихту состава, мас.%: фторид магния, кальция 52,5-65,0, фторид алюминия 3,0-10,0, оксиды металла - хромоф...

2075559

Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния

Изобретение может быть использовано в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: Способ получения легированных монокристаллов или поликристаллов кремния включает приготовление исходной шихты, содержащей 50% кремния, легированного фосфором, с удельным электрическим сопротивлением 0,8-3,0 Ом·см, или бором, с удельны...

2250275

Способ получения кристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов кремния способом Чохральского или мультикристаллов кремния методом направленной кристаллизации, которые в дальнейшем служат материалом для производства солнечных элементов и батарей (модулей) с улучшенными эксплуатационными характеристиками. Способ включает приготовление исходной шихты, легированной бором, и ее плавление, при этом в полу...

2473719

Способ выращивания алюмо иттриевого граната, легированного ванадием

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, в частности к получению материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам). Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием (АИГ:М), заключается в выращивании кристалла методом вертикальной направленной кристаллизации в молибденовом тигле в...

2501892

Кристаллы на основе бромида таллия для детекторов ионизирующего излучения

Изобретение относится к области получения материалов детекторов для регистрации ионизирующего излучения, которые могут быть использованы для инфракрасной оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристалл на основе бромида таллия дополнительно содержит бромид кальция при следующем соотношении компонентов, мас.%: бромид таллия - 99,9972-99,99993, бромид кальция - 0,0028-0,00007 . Техническим резул...

2506352

Способ получения твердых полупроводников с добавлением легирующих добавок в процессе кристаллизации

Изобретение относится к способу получения твердых полупроводников, более конкретно к кремнию в форме слитков или полос, используемых для производства субстратов фотогальванических элементов. Способ получения твердых полупроводников включает в себя стадии приготовления расплава полупроводника из первой порции полупроводника, которая содержит легирующие добавки, отверждения расплавленного полу...

2515561

Кристаллический материал для активных элементов перестраиваемых лазеров на основе селенида цинка, легированного хромом

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использовано в лазерном приборостроении, в частности, для изготовления активных элементов перестраиваемых лазеров среднего инфракрасного (ИК) диапазона, основным применением которых является медицина, спектроскопические исследования, а также контроль загрязнения окружающей среды. Материал для активных элементов перестраиваем...

2531401

Способ получения поликристаллов кремния

Изобретение относится к способам выращивания ориентированных поликристаллов кремния из расплавов методами направленной кристаллизации и рассчитано на получение материала для изготовления пластин для фотоэлектропреобразователей (солнечных батарей) из металлургического кремния. Поликристаллы кремния производятся в вертикальной установке, обеспечивающей необходимый градиент температур, двумя циклам...

2570084

Оптическая среда на основе кристалла галогенида кадмия-цезия cscdbr3, содержащего примесные ионы одновалентного висмута, способная к широкополосной фотолюминесценции в ближнем ик диапазоне, и способ ее получения (варианты)

Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов и может быть использовано в системах оптической связи в качестве широкополосных усилителей и лазеров. Оптическая среда содержит ионы низковалентного висмута в качестве единственного оптически активного центра, способна к широкополосной люминесценции в ближнем ИК диапазоне, представляет собой кристаллическую фазу бром...

2600359

Оптическая среда на основе кристалла галогенида рубидия-иттрия rby2cl7, содержащего примесные ионы одновалентного висмута, способная к широкополосной фотолюминесценции в ближнем ик-диапазоне, и способ ее получения

Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов, а также к способу их получения и может быть использовано в системах оптической связи. Предложена оптическая среда на основе кристалла галогенида, содержащего ионы низковалентного висмута в качестве единственного оптически активного центра, способная к широкополосной люминесценции в ближнем ИК-диапазоне, представляюща...

2618276

Сцинтиллятор

Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке. Сцинтиллятор содержит кристалл CsI в качестве его основы и Tl, Bi и O, причем концентрация a Bi по отношению к Cs в кристалле составляет 0,001 атомной млн-1 ≤ a ≤ 5 атомных млн-1; и отношение (a/...

2627387

Кристаллы на основе бромида таллия для детекторов ионизирующего излучения

Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристаллы на основе бромида таллия дополнительно содержат 0,0028-0,00008 мас.% примеси бромида магния. Техническим результатом изобретения является повышение детекторных характеристик материала: μτе до 7,8⋅10-4...

2638863

Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием

Изобретение относится к технологии получения монокристаллических материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам - ПЛЗ). Способ выращивания алюмоиттриевого граната, легированного ванадием (АИГ:V), заключается в выращивании кристалла методом вертикальной направленной кристаллизации в молибденовом тигле в восстановительной а...

2641828

Способ выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах mf2-cef3

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Способ включает кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из смеси фторидов одного или нескольких фторидов щелочноземельных металлов M=Са, Sr, Ва и церия при мольном содержании фторида церия от 0,0...

2659274

Способ выплавки с направленной кристаллизацией магнитного сплава системы fe-al-ni-co

Изобретение относится к области металлургии, а именно к технологии производства магнитных сплавов системы железо-алюминий-никель-кобальт, применяемых для получения постоянных магнитов электродвигателей и навигацинных устройств. Способ включает размещение поликристаллической заготовки из сплава на затравке в керамической форме, размещение керамической формы в области нагревателя над охладителем и...

2662004

C30B11/04 - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Патенты в этой категории