C30B13/28 - управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)

Устройство для получения монокристаллов кремния

139440

Холодильник к печи для зонной очистки металлов

Класс 40А 1за 17

151474

Аппарат для очистки жидкостей методом низкотемпературной зонной плавки

I848I2 ОП И САН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сава Соввтвкив Социалистический Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 19.Ч.1965 (№ 1008213/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано ЗО.Ч!!.1966. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 29.IX.1966 МПК 8 01j УДК 66.067.05(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мини...

184812

Телевизионное устройство для автоматического регулирования и стабилизации

7 т я в г Союз Советских Социалистических Республик О П И С А Н И Е 347073 ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹â€” Заявлено 28.Х.1968 (№ 1278634i26-9) с присоединением заявки №вЂ” ПриоритетвЂ” Опубликовано 10.VI II.1972. Бюллетень № 24 Дата опубликования описания 22.IX.1972.Ч. Кл. В OIj 17/10 Н 04п 7!02 Комитет ло делам изооретеиий...

347073

Устройство для исследования направленной кристаллизации

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ Г!РИ ГКНТ СССР ABTOPCl Г Л. -:. В ООфОЛОГИЧЕСКИХ ИЭМЕНЕНИй ЯВЛЯЕ"; «JC энтация I-вправлений прей =ации Н< позволяют по1уча I P, P L -,, ) - вЂ”. "„1 т О В С 0 С Р Е ч Н И М М Е ж Г(Е ! г !.,il- I.:. г ао; .1"тром 310 .км. 13, I е р . 1/IññëГ,,"! i к0!!с а !л(!са -.С ц!1,-,-. - к...

1624065

Способ автоматического управления процессом выращивания кристаллов методом бестигельной зонной плавки

Использование: изобретение относится к способам управления процессом выращивания кристаллов и может быть использовано в области металлургии полупроводниковых материалов. Сущность: устройство, реализующее данный способ, работает следующим образом. В микропроцессорном устройстве в реальном масштабе времени вычисляется заданный закон измененияположения фронта кристаллизации и расчет...

1818363

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления

Изобретение относится к выращиванию кристаллов. Технический результат - обеспечение условий бесконтактного управляемого тепломассопереноса в кристаллизационной среде. Управление процессом кристаллизации основано на бесконтактном возбуждении азимутальных круговых течений - вынужденной конвекции в ростовом объеме посредством вращения (ротации) теплового поля. Вращение теплового поля достига...

2163943

Способ управления процессом выращивания кристаллов и устройство для управления процессом выращивания кристаллов

Использование: управление технологическими процессами получения полупроводниковых материалов для управления выращиванием монокристаллов в космических условиях без оператора. Сущность предложенного способа заключается в том, что в процессе нагрева образца периодически прерывают силовое питание нагревателя расплава для подачи на контур высокочастотного измерительного напряжения, формируют с...

2203351

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав. Способ включает выращивания легированных монокристаллов германия из расплава в тигле на кристаллографически ориентированную затравку диаметром, равным внутреннему диаметру тигля, в условиях теплового осевого потока вблизи...

2330127

Способ управления процессом выращивания кристаллов из расплава

ИЗОБРЕТЕНИЕ ОТНОСИТСЯ К УПРАВЛЕНИЮ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА ШИХТЫ 6 В ТИГЛЕ 4 МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА БЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ - ОТФ-МЕТОДОМ. ВО ВРЕМЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ОСУЩЕСТВЛЯЮТ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРНОГО РЕЖИМА С ПОМОЩЬЮ РЕГУЛЯТОРОВ, СВЯЗЫВАЮЩИХ РЕГУЛИРУЕМЫЕ ПЕРЕМЕННЫЕ С РЕГУЛИРУЮЩИМИ. В КАЧЕСТВЕ РЕГУЛИРУЮЩИХ ПЕРЕМЕННЫХ ИСПОЛЬЗУЮТ НАПРЯЖЕНИЯ, ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ, НА ОДНОЙ...

2357023

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ. Легированные монокристаллы германия выращивают из расплава в тигле, размещенном на теплоотводящем блоке, на кристаллографически ориентирован...

2381305

C30B13/28 - управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05)

Патенты в этой категории