C30B15/02 - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Способ и аппарат для получения искусственных монокристаллов

Л 50891 Класс 12m, б К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, ВЫДАННОМУ НАРОДНЫМ КОМИССАРИАТОМ ТЯЖЕЛОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ 3арегис прароеано с Государс ивеннол бюро пос.е»дующей региси рапии изобретений при Госплане СС(Р В. В. Шаховцев и В. И. Егоров. Способ и аппарат для получения искусственных монокристаллов. Заявлено 4 июля 1936 года за M 197297. Опубликовано 31 января 1937 года. Настоящее и...

50391

Устройство для полунепрерывной

23I82l ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ьсвв боветскик Социал истическик Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 09.VI.1967 (№ 1166612/22-1) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 01.Х. 1971. Бюллетень № 29 Дата опубликования описания 14.XI 1.1971 МПК С 22Ь 9!04 В Olj 17, 20 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министро...

231821

Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.

940344

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава

1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода...

988008

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЙЫТЯГИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА, включающее ростовую камеру, расположенные в ней тигель для расплава, установленный в нем питатель, соединенный с ним через дозатор транспортной трубкой, введенной вертикально в дозатор, и выполненный в виде тора, средство регулирования уровня расплава в тигле и нагреватели, размеще ные под тиглем коаксиально с внешней стороны...

1122015

Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла

1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов -модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC....

1469918

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Изобретение относятся к получению искусственных кристаллов и обеспечивает повышение выхода годных монокристаллов. Устройство содержит тигель для расплава с кольцевой емкостью в его верхней часта Емкость имеет с тиглем общую стенку с отверстием. Над емкостью размещен экран 8 виде шайбы, а в тигле расположен экран в форме полого цилиндра, установленного с зазором относительно дна П...

1510411

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

1. Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста с коаксиально расположенными тиглем для расплава и нагревателем, затравкодержатель, установленный над тиглем с возможностью вращения и осевого перемещения, защитный кожух для стержня из исходного материала с механизмом осевого перемещения стержня, установленный наклонно к вертикальной оси системы вак...

1550948

Способ получения монокристаллов ортогерманата висмута

Изобретение относится к технике сцинтилляционных детекторов на базе ортогерманата висмута В14Сез012, применяемых в физике высоких энергий, в дозиметрии, в сцинтилляционных экранах для сканирующих электронных микроскопов, компьютерной томографии и в радиационной технике, связанной с эксплуатацией ядерно-энергетических установок, гамма-картонажных геофизических устройств для ионной...

1745779

Способ получения монокристаллов кремния

Использование: получение монокристаллов кремния методом Чохральского. Сущность изобретения: расплавляют загрузку в тигле, вытягивают монокристалл на затравку в герметичной камере из не более 2/3 расплава, содержащегося в тигле, отрывают кристалл от расплава, отделяют кристалл от затравки и размещают его в стороне от оси вытягивания, проводят подпитку расплава и вытягивание следую...

1773955

Способ вытягивания кристаллов и устройство для его осуществления

Относится к выращиванию кристаллов в виде деталей газотурбинных двигателей. Тигель для рабочего расплава загружают шихтой с легирующими добавками и флюсом. Загружают шихтой с флюсом тигель для подпитывающего материала и бункер для порошкообразного подпитывающего материала. Из камер с тиглями откачивают воздух, заполняют их компрессионным газом с давлением большим, чем упругость наиболее...

2006537

Монокристаллический ювелирный материал на основе гадолиний- галлиевого граната

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные украшения, имитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист. Целью изобретения является получение монокристаллического ювелирного материала на основе гадолиний-галлиевого граната - ГГГ, с окраской, плавно изменяющейся от зеленой до фиолетово...

2019587

Монокристаллический ювелирный материал на основе гадолиний- галлиевого граната

Изобретение относится к области искусственных монокристаллов и может быть использовано в ювелирной промышленности при изготовлении вставок в ювелирные изделия, иммитирующих изумруд, аквамарин, сапфир, аметист. Целью изобретения является получение монокристаллического ювелирного материала на основе гадолиний-галлиевого граната - ГГГ с окраской, плавно изменяющейся от зеленой до фиолетовой,...

2019588

Окрашенный монокристалл

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий. Цель изобретения - расширение гаммы окраски монокристалла. Монокристалл имеет химическую формулу AxMey-MuGatO12, где A - двухвалентный ион, Me - по крайней мере, один элемент с валентностью, отличной от трех, M - окрашивающая примесь, x3,05, y3,0, u1,2, 1,9t5;0, 0,15. Мо...

2026897

Сцинтилляционный материал

Изобретение относится к области сцинтилляционных материалов, используемых для регистрации и спектрокопии ионизирующих излучений. Материал на основе триортогерманата висмута содержит примесь иттербия в количестве 0,07 - 1,50 мас.% мас. Достигнуто время высвечивания сцинтилляционного импульса = 16 нс, что в 18,7 раз меньше, чем без добавки иттербия в материал. Кристаллы получали методом Ч...

2031987

Сцинтилляционный материал

Изобретение относится к технике для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений, в частности к сцинтиляционным материалам. Цель изобретения - создание сцинтилляционного материала на основе двойного вольфрамата натрия - висмута, обладающего повышенным световым выходом сцинтилляций. Кристалл N aBi(WO4)2 содержит дополнительно примесь щелочного металла из группы Li, K, Pb, Cs в количе...

2059026

Лазерное вещество

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона. Для повышения угловой направленности генерируемого излучения лазерное вещество, включающее оксиды лития, бария, лантана или гадолиния или иттрия, или лютеция и неодима и триоксид молибдена, содержит указанные оксиды при следующем соотношении компонентов: мас. %:...

2066352

Устройство для выращивания монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов, включающее камеру роста, тигель для расплава, расположенный в полости нагревателя и, средство подачи исходного материала в тигель в виде установленных в герметичном корпусе с загрузочным люком поворотного контейнера, питателя и вакуумного шибера, отличающееся тем, что корпус выполнен из двух камер, в одной из которых расположен поворотный контейн...

2073365

Устройство для выращивания монокристаллов

Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом. Обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, ра...

2081948

Способ получения слитков кремния в форме широких пластин различной толщины

Использование: изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения бестигельным методом полупроводникового кремния в форме широких пластин. Сущность изобретения: для повышения рентабельности и качества получаемого материал предложен способ, позволяющий получать без тигля и устройства для подпитки расплава широкие пластины кремния...

2095495

Способ выращивания монокристаллов трибората лития

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO). Способ включает выращивание из растора-расплава, состав которого определен областью ABCD диаграммы трехкомпонентной системы Li2O - B2O3 - MoO3 с координатами точек системы, мол. доли: A: Li2O - 0,18; B2O3 - 0,51; MoO3 - 0,31; B: Li2O - 0,17; B2O3 - 0,83; MoO3 - 0; C: Li2O - 0,04; B2O3 - 0,21; MoO3...

2112820

Способ получения монокристаллов кремния при нарушении монокристаллического роста

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского. Сущность изобретения: способ включает вытягивание слитка из расплава на затравку, отрыв его от расплава, отделение слитка от затравки, подпитку расплава и вытягивание следующего слитка, в котором при вытягивании слитка к...

2189407

Устройство для повторной загрузки материала в тигель

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: устройство включает резервуар, жестко связанн...

2190047

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для выращивания монокристаллов сапфира, содержащем установленные в вакуумной камере экраны, нагреватель, затравкодержатель с закрепленным в нем затравочным кристаллом, тигел...

2232832

Способ получения монокристалла вольфрамата

Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления сцинтилляторов для регистрации излучения и рабочих тел лазеров. Сущность изобретения: выращивание монокристалла вольфрамата осуществляют с использованием в качестве исходного материала триоксида вольфрама и оксида или карбоната двухвалентного металла, триоксида вольфрама и оксида или карбонатом одновалентного металла и окс...

2241081

C30B15/02 - добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Патенты в этой категории