C30B25/14 - средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов

Устройство для дозированной подачи гидрида легирующего элемента в реакционную камеру

ОП И СА " Й- Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 2737 9l Союз Советских Социалистических Ресоуйиик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Кл. 12g, 17/32 Заявлено 23Х!1.1968 (№ 1258858/22-1) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 14Х11.1970, Бюллетень ¹ 23 Дата опубликования описания 8ЛП.1970 МПК В Olj 17/32 УДК 621.793-172.002.2 (088.8) Еотаитет an деоахв изобре...

273791

Патент ссср 403431

ОПИСА ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 40343l Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 30.1V.1971 (№ 1652525/23-26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень;% 43 :"1. Кл. В 011 17/28 Государственный комитет Совета Министров СССР аа делам изабретении и аткоытий УДЕ. 621.315.592 (088.8) Дата о...

403431

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

O n И С А Н И Е „„в()ьз ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61).Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 30. 11. 79 {21) 2888452/23-26 с присоединением заявки М (23) ПриоритетвЂ” Опубликовано 15.02.82.Б1оллетень М 6 Дата опубликования описания 15 ° 02.82 (5 1 ) М. КЛ. С 30 В 25/!4 1осударстеениый комитет ло делам изо4р...

905342

Устройство для осаждения слоев

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН (19) (10 М50 С 30 В 25 14 ОПИСАНИЕ ИЗОбРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1.1 й ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И 0ТНРЬПИЙ (61) 796246 (.21 ) 3390342/23-26 (22) 02.02.82 (,46) 07.12.83. Вюл. В 45 (72) В.И.. Иванов,: Н.N. Матырев, В.С. Насоиов и И.Ф. Егорова (53) 621.315.592(068.8) ,(56) 1. Авторское свидетельство...

1059032

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЖЖВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реакционную камеру, размещенные в наклонный подложкодержатель,средство подачи газа, имеющее отверстия , расположенные в плоскости, наклоненной к плоскости подложкодержателя , и средство отвода отработанных газов, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и равномерности получаемых слоев , средство подачи...

1065508

Устройство для газовой эпитаксии полупроводниковых соединений

СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Ai ае пп

1074161

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (5!)5 С 30 В 25/14 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4562446/26 (22) 21,01.83 (46) 30.07.93. Бюл. № 28 (72) Л.А. Иванютин, А,А. Арендаренко, А.А, Овечкин, А.В. Барышев, В.В. Макшаков и А.В. Лукичев (56) Патент Японии ¹ 50-347, кл. 99 (5) В-15. 1975. Авт...

1137787

Устройство для выращивания многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структур

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и обеспечивает уменьшение толщины переходных слоев. Устройство содержит реактор, внутри которого размещены источники исходных компонентов и проточная камера роста. В проточной камере роста неподвижно установлен подложкодержатель. Камера роста соединена одним из источников с помощью поворотного коммутатора. Поворотный коммутатор обеспечи...

1462857

Способ подачи газов в реактор для газофазной эпитаксии

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть реализовано в оборудовании для выращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы Цель изобретение - более точная подача смеси в реактор в более широком диапазоне концентраций легирующей примеси. В ретродиффузио нную ячейку подают газ-носитель с легирующим компонентом с регулируемой объемной скоростью до Nf и газ-раз...

1650800

Установка для газовой эпитаксии полупроводниковых соединений по мос-гидридной технологии

Изобретение может быть использовано для выращивания сверхтонких структур кремния, арсенида галлия и гетероструктур А<SP POS="POST">3</SP> в<SP POS="POST">5</SP>. Обеспечивает повышение надежности и безопасности работы. Установка включает систему подачи газовых реагентов в реактор. Выходной патрубок реактора соединен со средствами очистки отходящих газов, вы...

1673653

Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов

Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого размещен подложкодержатель, выполненный в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами в диске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. В устройстве имеются средства ввода и выводи газа. В диске соосно сателлитам выполнены кальцевые проточки, соединенные с началом га...

1784668

Устройство для получения слоев тугоплавких нитридов методом химического газофазного осаждения

Использование: при получении особочистых изделий из пиролитических нитридов бора и кремния. Устройство содержит вертикальный цилиндрический реактор., изготовленный из диэлектрического материала. Внутри расположен подложкодер,жатель. Средство ввода газовых реагентов выполнено из двух коаксиальных трубок, причем нижний конец внутренней трубки выступает за нижний торед внешней. И вн...

1806225

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов

Использование: в электронной промышленности при производстве микросхем. Устройство содержит вертикальный реактор. В нем установлен полый подложкодержатель, внутри которого размещены подложки . Под подложкодержателем установлена перфорированная перегородка. В нижней части реактора по его оси размещены коаксиальные трубки для ввода парогазовой смеси (ПГС). По центру перфорированной...

1813819

Устройство для осаждения слоев из газовой фазы

Относится к устройствам для газофазного наращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа A3B5. Устройство содержит реактор вертикального типа. В верхней части реактора выполнены средства для ввода водорода и газовой смеси. Средство для ввода газовой смеси выполнено в виде перфорированного патрубка, размещенного по оси реактора и в его полости. Коаксиально патрубку устано...

2010043

Устройство для получения изделий и покрытий из нитрида бора

Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению. Устройство содержит реактор с графитовой подложкой внутри, обогреваемый индуктор, снабженный радиационным экраном и газовводом. Подложка размещена внутри радиационного экрана, выполненного из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом. Улучшается качество изделий и покрытий. 1 ил. Изобретение относится к высокотемпер...

2042751

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы. Технический результат - повышение производительности и рентабельности, снижение стоимости процесса. Способ включает размещение плоской основы в камере, пода...

2158324

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления

Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установле...

2162117

Способ изготовления пластин и/или листов фольги анизотропного пиролитического нитрида бора, лист фольги, изготовленный этим способом, изделие из анизотропного пиролитического нитрида бора в виде пакета пластин и/или листов фольги и способ его получения

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высокотемпературных диэлектрических, электроизоляционных материалов и технологии их получения методом химического осаждения из газовой фазы для изготовления различных деталей для СВЧ-техники и интегральных микросхем. Сущность изобретения: пластины и/или листы фольги нитрида бора получают путем образования на подложке в реакторе па...

2179204

Реактор для получения широких пластин исходного поликристаллического кремния

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана. Сущность изобретения: реактор для получения исходного поликристаллического кремния в процессе водородного восстановления хл...

2222648

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др. Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений А3В5 содержит две соединенные между собой емкости, одна из которых предназначена для хранения хлорида галлия, а другая - для дозирования паров хлорида галлия в зону осаждения потоком газа-носи...

2311498

Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде горизонтальной трубы с продольными отверстиями, равномерно расположенными в шахматном порядке на ее стенк...

2324020

Устройство для выращивания кристаллов карбида кремния

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов карбида кремния на подложках. Устройство содержит камеру (1), расположенную вдоль оси, причем камера (1) включает отдельные средства (2, 3) для входа газов, содержащих углерод, и для газов, содержащих кремний, средство для поддерживания подложки (4), расположенное в первой концевой зоне (Z1) камеры, средство для выпуска отработанных газов...

2341595

Устройство для выращивания кристаллов

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов. Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы, преимущественно нитридов металлов III группы, включает вакуумированный реактор 1, расположенные внутри реактора средство 2 для закрепления подложки 3 и по крайней мере один ис...

2358044

Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического...

2394117

Способ выращивания кристаллов нитридов металлов iii группы

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой фазы включает размещение подложки 12 в верхней части реактора над источником металла III группы 5 и подачу к поверхности подложки 12 в направлении...

2405867

C30B25/14 - средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов

Патенты в этой категории