Категория
Способ выращивания монокристаллов слюды
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ¹ 165670 Союз Советских Социалистических Республик Зависимое ст авт. свидетельства ¹ Заявлено 12. I I I,1962 (№ 768702/23-4) 1 л, 12с, 2 МПК В Old с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 26.Х.1964. Бюллетень № 20 Государственный комитет по делам изобретений и откоытий СССР УД1(Дата опубликования описания 28.XI.1964...
Патент ссср 168261
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 12с, 2 МПК В Old Заявлено 02.1.1963 (№ 811839/23-4) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 18.11.1965. Бюллетень № 4 Дата опубликования описания 25.11.1965 Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР УДК 549.29(088.8)...
Способ получения монокристаллов тугоплавких веществ, в особенности фтор-слюды
Патент ссср 319319
(t t) 3l93l9 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 28.04.70 (21) 1422306/29-33 с присоединением заявки (32) Приоритет Опубликовано 25.03.74. Бюллетень № 11 Дата опубликования описания 21.08.74 (51) М. Кл. В 01d 9/00 В 011 17/06 Государственный комитет Совета Министров СССР...
Фото и/или катодохромный материал на основе щелочногалоидного алюмосиликата
ФОТО- И/ИЛИ КАТОДОХРОМНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНОГО АЛЮМОСИЛИКАТА с каркасной структурой 8 твердой фазе, содержащей кристаллы группы содалита.отличающийся тем, что, с целью обеспечения оптической прозрачности в видимой и ближней ИК-облаети спектра, материал находится в дегидратированном СОСТОЯНИЕ, спрессован в монолит, который имеет поликристаллическую cTpykTyjay с пло...
Способ получения кристаллов со структурой берилла
(19)RU(11)1175186(13)C(51) МПК 6 C30B11/02, C30B29/34Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ БЕРИЛЛА Изобретение относится к способам выращивания монокристаллических образцов со структурой беррила и может быть использовано в электронной и ювелирной промышленности. Цель изобретения - повыш...
Способ получения монокристаллов цеолита (na,li)f
Изобретение касается выращивания монокристаллов цеолита (Na Li) F для рентгеноструктурного анализа и обеспечивает увеличение размеров монокристаллов. Способ включает образования геля из исходных растворов алюмината натрия с содержанием 0,25-0,30 М AlO-2 и силиката натрия с содержанием 0,25 - 0,30 М SiO2 при соотношении Si:Al в геле, равном 1:2 1,5:1. Гель смешивают с гидроксидом лития в о...
Пьезоэлектрический материал на основе лангасита
Изобретение относится к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабил...
Способ изменения окраски минералов для ювелирных изделий
Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности . Цель изобретения - придание турмалину интенсивной красно-малиновой окраски. Способ включает у-облучение минералов интегральной дозой (7,8-8,1) 108 Р и последующую термообработку при 80- 90°С в течение 30-40 мин. При этом...
Способ получения монокристаллов силиката висмута bi @ sio @
Использование: кристаллы для изготовления модуляторов света. Сущность изобретения: в шихту, содержащуюоксид Bl(III) и оксид Si (IV), добавляют оксиды Cd (II), Mo (VI) и Bi (III) в количестве, соответствующем составу Bi24CdMo040. Добавку берут в количестве 7,4-50 мас.%. Получают монокристаллы нефоточувствительны в диапазоне 0,4-0,7 мкм. 2 ил. СОЮЗ COBETCKNX . СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ...
Способ получения монокристаллов ортосиликата калия и свинца
Использование: выращивание монокристаллов ортосиликата калия и свинца. Сущность изобретения: кристаллы вытягивают из расплава со скоростью 0,5-0,75 мм/ч на затравку, вращающуюся со скоростью 20- 30 град/ч. Для улучшения качества к шихте добавляют 0,2-1,0 мол.% оксида свинца. 1 н. и 1 з.п. ф-лы, 18 пр. союз советских СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 15/00, 29/34 ГОСУДА...
Способ травления монокристаллов лангасита
Изобретение относится к способу гидротермального травления, обеспечивающего возможность создания экологически чистой методики травления монокристаллов лангасита, используемых в электронной технике. Цель изобретения заключается в том, что возникает возможность травления больших монокристаллов более 2 10 10 мм (кристаллы при травлении не растрескиваются), а так же отпадает необходимость у...
Шихта для получения кристаллов муллита и способ получения кристаллов муллита
Использование: в качестве наполнителя и армирующего материала в композитах и различных устройствах. Сущность изобретения: используют шихту состава, мас. %: глинозем 7,7 - 18,3; кремнезем 37,1 - 38,5; фтористый алюминий 44,5 - 55,8; муллит - остальное. Способ получения кристаллов муллита включает загрузку в тигель шихты, содержащей указанные компоненты, и ее нагрев при 1120 - 1250oС в атмо...
Способ выращивания монокристаллов изумруда
Использование: при выращивании высокочистых монокристаллов изумруда методом температурного перепада на ориентированную затравку из расплава, содержащего исходный материал из оксидов бериллия, алюминия и кремния с активирующими добавками, и флюса - растворителя. Сущность изобретения: по условиям растворимости каждого из составлюющих окислов изумруда подбирают состав нелетучего флюса, обесп...
Способ получения тонкодисперсного кристаллического порошка синтетического минерала
Использование: производство тонкодисперсных кристаллических материалов, в частности, модифицирующих наполнителей полимеров, бумаги, красок, лаков, резин, функциональной керамики и других композиционных материалов в химической промышленности. Цель - повышение выхода частиц с естественной формой кристаллов и чистоты продукта, а также сокращение продолжительности процесса и снижение энергоза...
Способ получения окрашенных кристаллов берилла
Изобретение относится к способу получения окрашенных кристаллов берилла для использования в ювелирной промышленности. Цель изобретения - повышение выхода кристаллов ювелирного качества. Поставленная цель достигается тем, что в способе получения окрашенных кристаллов берилла используют шихту состава, мас.%: фторид магния, кальция 52,5-65,0, фторид алюминия 3,0-10,0, оксиды металла - хромоф...
Способ изменения окраски минералов
Изобретение относится к облагораживанию минералов, в частности бесцветных разновидностей полупрозрачного благородного серпентинита, а также улучшению цвета серпентинита с бледной серо-зеленой окраской. Новый технический результат заключается в разработке способа облагораживания серпентинита, который позволяет изменить окраску серпентинита и расширить гамму окраски этого минерала более про...
Способ окрашивания кристаллов природного берилла и изделий из них
Предложен способ окрашивания кристаллов природного берилла и изделий из них /ювелирных вставок/ для улучшения качества их окраски - окрашивания под изумруд. Способ включает облучение кристаллов природного берилла ионизирующим и их термообработку и отличается тем, что термообработанные кристаллы подвергают вторичному облучению, причем первичное и вторичное облучение проводят электронным пу...
Способ получения монокристаллов силиката калия и ниобия k* 002(nbo)*002si*004o*001*002
Использование: изобретение относится к способу получения в гидротермальных условиях монокристаллов K2(NbO)2Si4O15 и может быть использовано в нелинейной оптике. Сущность изобретения: способ гидротермального получения монокристаллов K2(NbO)2Si4O12 заключается в том, что появляется возможность получения монокристаллов размером до 2 - 3 мм, а также отпадает необходимость употребления дорогос...
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангалиевого силиката. Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является выращивание монокристаллов ЛГС, не содержащих рассеивающих центров и блоков и пригодных для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Для выращивания монокриста...
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката (ЛГС), обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. В данном способе монокристаллы ЛГС выращивают методом Чохральского. Способ включает загрузку в тигель шихты, полученной...
Способ обработки поделочных камней группы халцедона
Использование: при производстве ювелирных изделий для улучшения их художественно-декоративных свойств. Сущность изобретения состоит в том, что предварительно отшлифованные образцы помещают в 5-35%-ный раствор щелочей (LiOH, NaOH, KOH) и осуществляют их обработку в гидротермальных условиях при Т - 50-300oC и Р - 50-500 атм в течение 5-25 ч. Получают поделочные камни группы халцедона, облад...
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката. Для получения монокристаллов лантангаллиевого силиката стехиометрического состава к смеси окислов лантана, галлия и кремния добавляют металлический галлий в заявленном диапазоне концентраций. Затем проводят нагрев в кислородсодерж...
Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность способа состоит в выборе ориентации затравочного кристалла, обеспечивающей выращивание методом Чохральского монокрис...
Способ термообработки монокристаллов лантангаллиевого силиката
Изобретение может быть использовано для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность изобретения состоит в том, что термообработку проводят при температуре в диапазоне 1300-1673 К в среде аргона в течение 20-36 ч при давлении 1,1-1,8 атм. Способ позволяет получать монокристаллы диаметром не менее 2 мм и массой больше 3,5 кг, свободные от механических на...