C30B29/54 - органические соединения — все патенты категории

Способ получения монокристаллов антрацена

Класс 12с, 2 121, 33 № 121438 СССР Iw:1 1л ) ) t iс :i., °: .,5 )1р ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Б. С. Александров и H. Н. Спендиаров СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТРАЦЕНА Заявлено 14 ноября 1958 г. за № 612222j23 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР Опубликовано в

121438

Устройство для зонной очистки веществ

2760l7 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскит Социалистическиз Ресоурлик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 06. т !.1968 (№ 1246445/23-26) Кл. 12g, 17/08 с присоединением заявки ¹ Комитет оо лелам Л 1ПК В 01) 17/16 УДК 66.049.4.05 (088,8) Приоритет Опубликовано 14.У!!.1970. Бюллетень № 23 Дата опубликования описания 6.Х.1970 изооретений и...

276017

Патент ссср 415040

ъ 4I5 040 н©з Советсюа Сэциапкстических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 21.И1.1971 (¹ 1685947;23=26) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 15.11.1974. Бюллетень № 6 Дата, опубликования описания 27лг1,1974 М. Кл. В 01j 17/04 ораарстеенный комитет Сонета йинистрое СССР ао делам иза6ретений и открытий УДI 621.315.59...

415040

Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена и способ его получения

1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%. 2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке...

948171

Способ получения кристаллов органических веществ

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса. Расплавляют шихту с введенным в нее тепло- ,отводящим элементом. Расплав перемешивают . Теплоотводящий элемент охлйждают до температуры кристаллизации . После появления на нем кристалличес...

1473382

Способ выращивания монокристаллов @ -нитро- @ - метилбензальанилина

Изобретение касается выращивания органических монокристаллов, которые могут быть использованы в квантовой электронике и нелинейной оптике. Цель изобретения - повышение прозрачности и размеров кристаллов. Кристаллы выращивают на затравку изотермическим испарением раствора с органическим растворителем при 35-40°С. В качестве растворителя используют смесь состава об.4. бензол 12-...

1583476

Способ выращивания монокристаллов 4,4 @ - диоксидифенилсульфона

Изобретение относится к технологии выращивания молекулярных кристаллов , которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике. Цель изобретения - получение кристаллов нецентросимметричной модификации и увеличение их размеров. Кристаллы выращивают выпариванием раствора в органическом растворителе, содержащем ацетон и ортоксилол в соотношении (3-6):1. Рост вед...

1633030

Способ выращивания монокристаллов гидрофталата калия

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов гидрофталата натрия, которые могут использоваться в рентгеновском приборостроении и пьезотехнике, обеспечивает увеличение размеров кристаллов при сохранении их однородности. Кристаллы выращивают из водного раствора гидрофгэлата калия на платформе с затравкой, вращающейся со скоростью 40-60 об/мим Получены крупные крист...

1684357

Способ выращивания монокристаллов ароматического соединения

Изобретение относится к технологии получения органических кристаллов, которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике и спектроскопии . Цель изобретения - получение кристаллов З-метокси-4-оксибензальдегида оптического качества. Кристаллы выращивают на затравку испарением раствора при 35-40°С. В качестве растворителя используют смесь бензола (25...

1701755

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1- оксида (ром)

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.Дата прекращения действия патента: 05.12.1997Номер и год публикации...

1764285

Способ крепления затравки

Способ крепления затравки для выращивания изометрических кристаллов из раствора, включающий ее контакт с иглообразным кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью более надежного крепления затравки из низкоплавного органического кристалла и исключения образования в ней дефектов, перед контактом конец кристаллодержателя нагревают до температуры, превышающей температуру плавления кри...

1764338

Способ получения монокристаллов

Использование: получение органических монокристаллов для оптики, электроники , пьезотехники. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из насыщенного раствора на затравку, которую регенерируют путем колебания температуры вблизи температуры насыщения с уменьшением колебаний до этой температуры. Даны режимы для получения кристаллов п.п1 -диоксидифенилсульфона и п-нитро-п -метилбен...

1773952

Способ получения кристаллов z @ so @ @ 6ос (nh @ ) @ @ н @ о

Использование: в оптике и электронных приборах в качестве преобразователей основного лазерного излучения. Сущность изобретения: в кисловодный раствор для выращивания кристаллов добавляют концентрированную серную кислоту, в результате чего рН растворе снижается до 3,8-3,9, Затем путем снижения температуры до 26- 32° С осуществляют рост кристаллов на точечной затравке, укре...

1808887

Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков из раствора

Использование: для получения пьезоэлектрических , пироэлектрических, длектрооптических кристаллов с высокими внутренними полями. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из раствора при наложении низкочастотных колебаний. амплитуду которых изменяют по пилообразному закону, а период колебаний не превышает средних размеров доменов. Коэффициент униполярное™ полученных кристаллов у...

1813816

Способ получения кристаллов органических веществ и устройство для его осуществления

Использование: в химической технологии производства высокочистых органических веществ. Способ включает расплавление шихты, введение в нее теплоотводящего элемента Э и кристаллизацию на нем 80-85% расплава при его перемешивании и охлаждении. Кристалл охлаждают, расплавляют и процесс повторяют. Устройство У включает цилиндрический сосуд для расплава , снабженный термостатирующей ру...

1813817

Способ получения монокристаллов мочевины

Использование: в качестве элементов удвоения частоты в серийных лазерных устройствах. Сущность изобретения: монокристаллы мочевины получают из насыщенного при температуре 30-35oC раствора, содержащего в качестве органического растворителя N-метилформамид, путем его охлаждения, в результате чего создается пересыщение и осуществляется рост кристаллов. Для получения однородных кристаллов рос...

1823537

Способ получения кристаллов

Использование: в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения. Сущность изобретения: способ включает выращивание из раствора, помещение кристалла после полного завершения процесса роста без контакта с атмосферой из ростовой среды в герметизирующую жидкость, химически не взаимодействующую с раствором и имеющую одинаковую с ней температуру, выдержку в этой жидкос...

2038429

Способ выращивания монокристаллических пленок

Сущность изобретения: в способе выращивания монокристаллических пленок водорастворимых веществ из пересыщенных водных растворов на инородную подложку с нанесенным на них рельефом в виде параллельных полосок различной конфигурации (параллельные прямые или ломаные линии) расстояние между полосками рельефа составляет 2 25 нм. В качестве примеров приводится получение монокристаллических плен...

2042746

Способ получения кристаллов тэна игольчатой формы

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв. Способ заключается в получении раствора ТЭНа в ацетоне, осаждении кристаллов ТЭНа путем добавления при перемешивании полученного раствора в осадитель в соотношении 1:(2-3), последующей фильтрацией полученного осадка и...

2463393

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного сосуда, конденсацию паров растворителя в верхней части сосуда, перетекание образовавшегося конденсата в н...

2531186

Стабильные кристаллические модификации дофх

Изобретение относится к новой кристаллической модификации (R)-ДОФХ, которая может использоваться в фармацевтической промышленности. Предложена новая кристаллическая форма ДОФХ и способ ее получения, а также ее применение в качестве компонента при получении лекарственных средств. Предложенный способ состоит в том, что проводят кристаллизацию (R)-ДОФХ в апротонном растворителе. Предложенная крист...

2543046

Новые сокристаллы агомелатина, способ их получения и фармацевтические композиции, которые их содержат

Изобретение относится к сокристаллу агомелатина, который характеризуется тем, что он состоит из агомелатина, или N-[2-(7-метокси-1-нафтил)этил]ацетамида формулы (I), и органической кислоты, которая находится в твердом состоянии при температуре окружающей среды, которая выбрана из пара-оксибензойной кислоты, лимонной кислоты, щавелевой кислоты, галловой кислоты, малеиновой кислоты, малоновой кисл...

2593749

C30B29/54 - органические соединения

Патенты в этой категории