H01L21/3063 - электролитическое травление

Способ изготовления цинко-германиевого поверхностно- барьерного триода

Класс 21 а", 18cs М 104970 (, ! ( (. г) (() У) У) ° ° СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. К. Невежин и Е. А, Ефимов СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИНКО-ГЕРМАНИЕВОГО ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНОГО ТРИОДА 3()Я((. t(:tt() 3(, ((it)ifhlx Tpli0до;3 п) тем IfC(IO;Ib3OB3IIlIfI ) СТ»ПОВКП,(.!Я \.Тр) и ЦОГО э;(скт1)oxli31H loñl;OÃO TJ)»(3, Icf III;f гер»»!!list It;(,гя паисссиия ципко()ы): ал=к(ро,(о...

104970

Способ выявления примесной неоднородности в монокристаллах кремния

Всесоюэикя ° ют&тетио . -хн Ф 9Си о ев вет ;! 526037 ИЗОБРЕтения т.оюз Советских Социапистимеских Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву М(22) Заявлено15.05.75 (21) 2137 92/25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано25.08.76.Бюллетень № 31 (4Ь) Дата опубликования описания 03.11 76 (5() М. Кл, I ! It 01 j. 21/306 Государственный номптет Свевта Министров...

526037

Устройство управления установкой электролитического травления

O n И С А Н И Е нц 576624 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 08.06.76 (21) 2371884/25 (51) М. Кл 2 Н OIL 21/306 G 01R 31/26 с присоединением заявки № (23) Приоритет Опубликовано 15.10.77. Бюллетень № 38 Дата опубликования описания 10.10.77 Государственный комитет Совета Министров...

576624

Способ электролитического травления фосфида галлия

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СЗМДИИЛЬСТВУ! ..., ),,г ° >((Союз Советских Социалистических Рест(убли к ((()632269 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 21.02.77 (21) 2455430/18-25 с присоединением заявки >((евЂ” (23) 11р иор итетвЂ” (51) М К» Н 01 1. 21/306 Гесударатеенный наинтет ссср но делам наейретеннн н лткрк!тнй Опубликовано 25.06.79. Бюллетень _#_...

632269

Способ исключения дефектов из рабочего объема полупроводниковых структур с потенциальным барьером

СПОСОБ ИСКЛЮЧЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ИЗ РАБОЧЕГО ОБЪЕМА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ПОТЕНЦИАЛЬНЫМ БАРЬЕРОМ , заключающийся в том, что на поверхности структуры формируют средства фиксации расположения дефектов и подают на барьер, напряжение обратного смещения, о тличающий-. с я тем, что, с целью упрощения способа, в качестве средства фиксации расположения дефектов использу-. ют электролит....

878105

Способ электрохимической обработки полупроводниковых пластин

Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в способе электрохимической обработки полупроводниковых пластин, включающем закрепление пластины на аноде, размещение анода в электрохимической ячейке параллельно свободной поверхности электролита, осевое вращение цилиндрического электрода-катода дополнительно ось вращения перемещают в плоскости, параллельной поверхности обрабатыва...

2133997

Способ формирования шероховатой поверхности кремниевых подложек и электролит для анодного травления кремниевых подложек

Использование: для создания кремниевых подложек с поверхностями, применяемыми в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах, в частности масс-спектрометрах. Сущность изобретения: в способе формирования шероховатой поверхности кремниевых подложек путем анодного травления в электролите, содержащем водный раствор фтористоводородной кислоты и спирт, травление ведут в электролите при пло...

2217840

Способ получения газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения АIIIBV n-типа проводимости или из полупроводника АIV с шириной запрещенной зоны Е"...

2283691

Раствор для электрохимического растворения кремния

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к технологии обработки полупроводниковых материалов, и может быть использовано при обработке полупроводниковых пластин кремния. Сущность изобретения: раствор для электрохимического растворения кремния содержит хлорид аммония, а в качестве растворителя - мочевину при следующем соотношении компонентов, мас.%: хлорид аммония 7-10; мочевина...

2308786

Устройство для односторонней гальванической обработки полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электротехническому оборудованию и может быть использовано для нанесения покрытий электрохимическим способом. Технический результат, достигаемый в предлагаемом устройстве, заключается в повышении качества гальванической обработки полупроводниковых пластин и упрощении конструкции устройства. Сущность изобретения: в устройство для односторонней гальванической обработки полупр...

2327249

Способ изготовления газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах. Способ изготовления газопроницаемой мембраны включает нанесение вакуумным напылением на поверхность монокристаллической кремниевой пластины по замкнутому контуру металла, химически устойчивого в концентрированных растворах фтористо-в...

2335334

Способ получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении анодное травление пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямка...

2388109

Способ получения кремниевой микроканальной матрицы

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики. В способе получения кремниевой микроканальной матрицы анодное травление пластины монокристаллического кремния дыро...

2410792

Способ получения кремниевой канальной матрицы

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в способе получения кремниевой канальной матрицы после анодного травления пластины монокристаллического кремния дырочного типа с затравочными ямками на поверхности в растворе электролитов, содержащем ионы в...

2433502

Канальная матрица и способ ее изготовления

Изобретение предназначено для использования в мембранных нанотехнологиях для производства управляемых микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики. Сущность изобретения: в канальной матрице помимо пластины монокристаллического кремния дырочного типа с вскрытыми каналами и осажденного материала на фронтальной поверхности этой пластины создан промежуточн...

2516612

H01L21/3063 - электролитическое травление

Патенты в этой категории