Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины
(в) SU (и) 668510 А1 (51) 5 Н01LZ1 311 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ {21) 2487423/25 (22) 39.05.77 (46) 30.10.93 Бюл. Ия 39-40 (72) Глущенко В.Н.; Косенко А.Н. (54) СПОСОБ ВСКРЫТИЯ ЛОКАЛЬНЫХ УЧАСТКОВ В ОКИСЛЕННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ...