Способ изготовления самосовмещающихся планарных транзисторов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с...