Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Класс 21g, 13„ № 149153
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОЬ ЕТКНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Лодпасная группа № 97
М. М. Самохвалов и М. А. Пашкевич
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФФУЗИОННЫХ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТРИОДОВ
Заявлено 28 мая 1956 r. за № 461252/26 в Комитет по аслам изобретений и открытий 11pll Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 15 за 1962 г.
Известен способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р — и — р, имеющих высокие предельные частоты, малые базовые сопротивления и высокие предельно допустимые коллекторные напряжения.
Предлагаемый способ изготовления диффузионных кристаллических триодов отличается использованием пластинки германия с нанесенной на ней риской, в которую вносятся вещества, предназначенные для образования эмиттерного и базового контактов. Диффузия производится в атмосфере водорода при повышенной температуре, а после окончания диффузии к переходам припаиваются контакты и производится селективное травление германиевой пластинки с полученными на ней переходами.
Такой способ позволяет упростить технологию производства триодов.
По предложенному способу на германиевую пластинку р-типа размером 2Х2 мм, наносится риска глубиной 50 л1к. Пластинка загружается в графитовую кассету.
Снизу пластинки кладется тон кий слой индия, сверху на риске, на расстоянии 03 мл друг от друга, располагаются два кусочка сплава.
Первый кусочек выполнен из сплава индий-сурьма (In — 95%, Sb — 5%) и служит для создания р-области эмиттера и базового слоя.
Второй кусочек — сплав олово-сурьма (Sn — 99,5%; $Ь вЂ” 0,5%) употребляется для вывода базы.
Индий служит для создания омического контакта к коллектору.
Диффузия проводится в атмосфере водорода при температуре
780 в течение 30 мин. После припайки никелевых выводов к базе и эмиттеру, а также травления перехода в перекиси водорода в течение
1 мин, область база-эмиттер замазывается нерастворимым слоем поли№ 149153
Предмет из обретения
Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р — и — р, отличающийся тем, что для упрощения технологии производства на пластинку германия наносится риска, в которую вносятся вещества, предназначенные для образования эмиттерного и базового контакта, и диффузия производится в атмосфере водорода при повышенной температуре, а после окончания диффузии к переходам припаиваются контакты и производится селективное травление германиевой пластинки с полученными на ней переходами.
Составитель; М. П. Золотарев
Редактор 3. А. Москвина Техред А. А. Камышникова Корректор Н. В Щербакова
Поди, к печ 22Х1-62 г. Формат бум, 70 108 />6
Зак. 6031 Тираж 1000
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при
Москва, Центр М. Черкасский пер, Объем 0,18 изд. ъ
Цена 4 коп
Совете Министров СССР д. 2/6.
Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14 стирола. Далее производится травление в течение 4 — 5 сек, при этом удаляется образующийся в процессе миграции сурьмы по поверхности пластинки п-слой, и появляется переходная характеристика база-коллектор. Полистирол удаляется растворением в толуоле.
Затем следует- вторичное травление в перекиси водорода в течение
2 — 5 иик до появления переходной характеристики база-эмиттер.
Предлагаемый способ является более простым, чем известный и при помощи его удалось получить триоды, предельные частоты которых — порядка от 100 до 150 мггц, а отдельные экземпляры — от 200 до 240 иггц.