H01L21/335 - полевых транзисторов — все патенты категории

Способ изготовления интегральных мдп-транзисторов

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) ((1) (я)5 H 01 1 21!335 ГОСУДАРСТВЕН(ОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) 1 33е "33Р с ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2923001/25 (22) 13.05.80 (46) 15.07.93. Бюл. М26 (72) B,Н.Глущенко (56) Шилин В.А. Большие интегральные схемы; вЂ” Электроника, 1972, гЬ 10, с. 49-54. Авторское свидетельство ССС...

865053

Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маск...

1565292

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов с субмикронным затвором на GaAs. Сущность изобретения: перед формированием изоляции активных областей формируют омические контакты, осаждая слой Au - Ge толщиной 400 - 700 А. Изоляцию активных областей формируют путем создания фоторезистивной маски с рисунком областей, граничащих с каналом транзистора, и проведе...

1811330

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Использование: при изготовлении полевых транзисторов. Сущность: способ заключается в том, что на пластину арсенида галлия с активным слоем после создания фоторезистивной маски, формирования меза-структур анодным окислением, проведения анодного окисления меза-структур, удаления фоторезиста наносят слой SiO2, создают фоторезистивную маску с рисунком затворного слоя металлизации, из окон ко...

1823715

Способ изготовления моп-транзистора

Использование: микроэлектроника, способ изготовления МОП-транзистора в производстве интегральных схем. Сущность изобретения: перед формированием диэлектрической маски формируют подзатворный окисел и наносят слой поликремния толщиной hi, после формирования диэлектрической маски проводят травление слоя поликремния толщиной hi до подзатворного окисла, формируют охранную область и по...

1824656

Способ изготовления мдп-транзистора

Использование: микроэлектроника, изготовление МДП-интегральных схем высокой степени интеграции. Сущность изобретения: повышение выхода годных и быстродействия МДП-транзистора за счет уменьшения емкости достигается тем, что на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости формируют затвор с вертикальными стенками, на поверхность со ступенчатым рельефом наносят...

1829782

Способ изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия

Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия с затвором субмикронной длины. Сущность изобретения: после формирования омических контактов на структуре арсенида галлия с рабочим и контактным слоем наносят слой диоксида кремния пиролитическим разложением тетрээтоксисилана. затем наносят слой нитрида кремния магнетронным способом ,...

1831731

Способ изготовления мдп-транзистора

Использование: способ изготовления МДП-транзистора, применяемый в электронной технике и используемый при изготовлении МДП СБИС. Сущность изобретения: МДП-транзистор создают путем формирования на поверхности полупроводниковой кремниевой пластины первого типа проводимости затвора с вертикальными стенками, внедрения ионной имплантацией в пластину по обе стороны от затвора медленно диффундиру...

2018992

Способ изготовления моп-транзистора

Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления полевых транзисторов с высокой степенью интеграции. Сущность изобретения: при изготовлении МОП-транзистора после формирования полевого окисла формируют поликремниевый электрод затвора. Для этого на поверхность кремниевой подложки со сформированной стуктурой двуокись кремния - нитрид кремния последовательно наносят первый слой двуо...

2024107

Способ изготовления полупроводниковых приборов

Использование: в микроэлектронике для производства транзисторов Шоттки на меза-структурах. Сущность изобретения: способ включает изготовление полупроводниковых приборов на полуизолирующей пласлине арсенида галлия с активной структурой путем формирования меза-структуры, формирования маски двуокиси кремния с окном над активной областью прибора, формирования защитной маски анодным окисление...

2029413

Способ изготовления структур p-канальных мдп бис

Использование: микроэлектроника, технология изготовления p-канальных МДП БИС с повышенным уровнем питающего напряжения. Сущность изобретения: при изготовлении структур p-канальных МДП БИС на кремниевую подложку наносят слои оксидан нитрида кремния, формируют маску на активных областях, проводят противоинверсионное легирование, выращивают слой полевого оксида кремния, формируют фоторезисти...

2043677

Способ изготовления мощного дмоп-транзистора

Использование: в электронной полупроводниковой технике, в методах создания мощных кремниевых ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой. Сущность изобретения: способ отличается наличием новой совокупности и последовательности технологических операций: наращивание дополнительного слоя нитрида кремния на поликремний в защитном покрытии, формирование слоя термической двуокиси кремния в защи...

2189089

Полевой транзистор

Создан полевой транзистор, имеющий электроды (2, 4, 5) и изоляторы (3) в вертикально расположенных слоях, такой, что, по меньшей мере, электроды (4, 5) и изоляторы (3) образуют ступеньку (6), ориентированную вертикально относительно первого электрода (2) или подложки (1). В вариантах осуществления в виде полевого транзистора с управляющим р-n переходом (ПТУП) или в виде полевого транзисто...

2189665

Способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом

Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом заключается в том, что перед формированием затвора полевого транзистора для увеличения крутизны в N раз и увеличения рабочей частоты в 2N раз кремниевого n-канального полевого транзистора выбирают...

2191444

Способ изготовления самомасштабируемого полевого транзистора со структурой суперсамосовмещенного биполярного транзистора

Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получа...

2230392

Способ изготовления самосовмещенных транзисторов со сверхкороткой длиной канала, получаемой нелитографическим методом

Использование: для изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала. Сущность изобретения: способ изготовления транзисторов со сверхкороткой длиной канала включает следующие этапы: осаждение электропроводящего материала на подложку из полупроводникового материала, формирование рельефа первых параллельных полосковых электродов с шагом, определяемым соответствующими правилами конструирования...

2261499

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов, напылении металлов, нанесении и травлении диэлектриков, гальванического осаждения золота, формировании канавок н...

2285976

Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры пары электродов транзистора, образующих омические контакты, посредством метода литографии, травления и п...

2390875

Способ изготовления полевого транзистора

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов или сверхвысокочастных интегральных схем на полевых транзисторах. Техническим результатом изобретения является упрощение получения подзатворных щелей в диэлектрике с размерами, меньшими 100 нм. Сущность изобретения: в способе изготовления полевого транзистора, включающем создание контактов стока и истока,...

2463682

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и травления диэлектриков, гальванического осаждения золота, формирование на лицевой стороне подложки вне тополо...

2463683

Способ изготовления мощного транзистора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного защитного диэлектрического слоя по всей топологии кристалла транзистора посредством плазмохимического нанесе...

2485621

Полупроводниковый прибор и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на друго...

2507634

Способ формирования электронного устройства

Изобретение относится к технологии полупроводниковых устройств. В способе формирования электронного устройства удаляют фоторезист с по меньшей мере одной поверхности проводящего слоя с использованием смеси реактивов, которая содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста, таким образом осаждают самоорганизующийся монослой на по меньшей мере одну поверхно...

2515340

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из монокристаллического кремния p-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), вспомогательных эпитакси...

2534442

Способ изготовления высокочастотного транзистора с нанометровыми затворами

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием полевых транзисторов. Техническим результатом изобретения является получение затворов длиной менее 100 нм, а также уменьшение толщины металлической маски и исключение промежуточного слоя диэлектрика, расположенного между поверхностью активной обла...

2578517

H01L21/335 - полевых транзисторов

Патенты в этой категории