H01L21/336 - с изолированным затвором — все патенты категории

Способ изготовления моп ис с поликремниевыми резисторами

3 СОНЕТСКИК СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„! 635;!. » (51) 5 Н 01 !. 21/336 ОПИСЛНИК ИЗОБРЕтенйл К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ flO ИЭОБРЕ П. КИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР (6) 1.;.04.Я. Вюл. 14 (21) 4701076/25 (22) 08.06.89 (72) !!.И. Иванковский, С.Л. Сульж»щ и ИВ. Агрич (56) Заявка ЕПВ Р 729G7, кл. Н 01 21/82, 1983. Патент С!»!А 4408385, кл. !! 0...

1635830

Способ изготовления кмоп-структур

Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - упрощение способа и повышение его производительности. Данный способ включает в себя формирование на пластине монокристаллического кремния 1-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика толщиной 0,03-0,05 мкм, формирование карманов 11-го типа проводимости, ионную имплантацию примесей обоих типов проводимости в области исток...

1759185

Способ изготовления датчиков водорода на моп-транзисторах

Использование: в измерительной технике , в частности при изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков водорода . Сущность: изобретение позволяет повысить выход годных при изготовлении датчиков за счет формирования над областью затвора транзистора временной алюминиевой защиты, нанесения низкотемпературной пленки SlOa, предотвращающей воздействие травителя для палладия на...

1785049

Моп-транзистор с высоким быстродействием и с высокой производительностью и способ его изготовления

Использование в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: МОП-транзистор содержит полупроводниковую подложку, допированную примесью первого типа проводимости, изолирующий слой затвора, сформированный на полупроводниковой подложке, электроды затвора, сформированные на изолирующем слое затвора, и слой диэлектрика, сформированный путем поверхностного окисления эл...

2197769

Способ изготовления мдп-транзисторов

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формировани...

2206141

Способ изготовления мдп-транзисторов

Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления дискретных МДП-транзисторов и интегральных микросхем. Технический результат изобретения - упрощение способа и повышение точности подгонки порогового напряжения МДП-транзистора. Сущность изобретения: способ включает операции формирования на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика с электронны...

2206142

Способ изготовления мощного сильноточного моп транзистора

Использование: в микроэлектронике, при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления мощного сильноточного МОП транзистора включает операции формирования областей стока 1-го типа проводимости МОП транзистора, маскирующего диэлектрика на поверхности пластины, углублений для выделения на пластине монокристаллических участков, тонкого...

2209490

Способ изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки с отдельным туннельным окном

Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ). Технический результат: получение запоминающей ячейки с небольшой потребностью в площади...

2225055

Способ изготовления мдп транзистора с локальными участками захороненного изолятора

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. Технический результат изобретения – упрощение технологического процесса при одновременном повышении надежности функционирования МДП приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП транзистора с локальными участками захороненного изолятора на поверхности подложки из кре...

2235388

Способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом нанометровой длины

Использование: в области микро- и наноэлектроники при производстве как полупроводниковых приборов и интегральных схем, так и приборов функциональной микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора с управляющим электродом (затвором) нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, формирование подзатворног...

2237947

Способ изготовления планарного силового моп транзистора

Использование: в полупроводниковой силовой электронике. Техническим результатом изобретения является уменьшение сопротивления открытого транзистора, уменьшение входной емкости, увеличение пробивного напряжения стока планарного силового МОП транзистора, повышение воспроизводимости параметров прибора. Сущность изобретения: между истоковой диффузионной областью и подзатворной областью сформи...

2239912

Устройство полевого моп-транзистора и способ его изготовления

Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл - оксид - полупроводник. Сущность изобретения: устройство с коротким каналом для регулирования электрического тока содержит полупроводниковую подложку, в которой сформирован канал. Концентрация легирующих примесей канала значительно изменяется в вертикальном направлении и является, по существу, постоянной в продольном направ...

2245589

Способ изготовления мдп-транзистора на структуре кремний на сапфире

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении интегральных схем на базе структур "кремний на сапфире" (КНС). Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-транзистора на структуре кремний на сапфире, включающем создание на подложке из сапфира островка слоя кремния собственной проводимости, формирование в нем канала транзистора путем легирования остр...

2298856

Способ изготовления самосовмещенного планарного двухзатворного моп-транзистора на кни подложке

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного планарного МОП-транзистора на КНИ-подложке, включающем создание на поверхности пластины рабочих и изолир...

2312422

Способ изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем н...

2361318

Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскры...

2364984

Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, включающем в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части превышает таковую в канальной части. Изобретение позволяет установить св...

2400865

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем процессы ионной имплантации и формирование активных областей прибора на кремниевой подложке, после формирования активных областей создают скрытый р-слой под каналом прибора легированием подложки ионами Be с энергией 125-175 кэВ, дозой (2-5...

2428764

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП-транзисторам. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии без увеличения размеров кристалла и повышение быстродействия без ухудшения других характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем форм...

2431905

Способ изготовления свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на по...

2439744

Транзистор на основе полупроводникового соединения и способ его изготовления

Изобретения относятся к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений AIIIBV, в частности к созданию транзистора на основе полупроводникового соединения, не содержащего драгоценных металлов и способу его изготовления. Техническим результатом является повышение термостабильности параметров затвора, снижение величины...

2460172

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование подзатворного диэлектрика, электродов затвора, стока, истока и р...

2466476

Полупроводниковое устройство, способ его изготовления и дисплейное устройство

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит тонкопленочный транзистор, который включает в себя полупроводниковый слой, который имеет область канала, область истока и область стока, электрод затвора, который выполнен с возможностью регулирования проводимости области канала, и изолирующую пленку затвора, расположенную между данн...

2471265

Тонкопленочный транзистор, сдвиговый регистр, схема управления шиной сигналов развертки, дисплейное устройство и способ подстройки тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, который содержит конденсатор, включенный между затвором и истоком, а также к сдвиговому регистру, к схеме управления шиной сигналов развертки, дисплейному устройству и способу подстройки тонкопленочного транзистора. Сущность изобретения: тонкопленочный транзистор содержит первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденс...

2471266

Мощный свч ldmos транзистор и способ его изготовления

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ LDMOS транзисторе, содержащем кремниевую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями p-типа проводимости, элементарные транзисторные ячейки с истоковой p+-перемычкой, p-карманом, высоколегированной истоковой, высоколегированной и слаболегированной стоковой областями n-типа проводимости в высок...

2473150

H01L21/336 - с изолированным затвором

Патенты в этой категории