H01L21/441 - осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов

Способ изготовления полупроводниковых структур

Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с многоуровневой металлизацией. Способ позволяет повысить надежность полупроводниковых структур путем исключения проводящих дефектов в диэлектрическом покрытии, формируемом между двумя уровнями металлизации . Для достижения цепи после нанесения нижнего слоя алюминия и литог...

1542337

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков для микросборок интегральных схем или ИК-фотодиодных матриц методом перевернутого кристалла. Сущность изобретения: для изготовления индиевых столбиков на временную кремниевую подложку наносят слой фоторезиста и слой индия. Проводят фотолитографическую обработку по слою индия с последующей сушкой в термостате или на горячей подложке....

2371808

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией для микросборок интегральных схем и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на пластину с металлическими контактами последовательно наносят первый слой фоторезиста, первый металлический слой, второй слой фоторезиста и второй металлический слой, затем проводят фотолитогр...

2419178

Способ изготовления индиевых столбиков

Изобретение относится к технологии получения индиевых столбиков взрывной технологией. Способ позволяет формировать индиевые столбики как на кремниевой (Si) БИС считывания, так и на инфракрасной фотодиодной матрице, кристалл которой выполнен из узкозонного полупроводника, например из индий-сурьма (InSb). Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых столбиков на поверхность пластины с мета...

2468469

Наноструктуры с высокими термоэлектрическими свойствами

Изобретение относится к наноструктурам с высокими термоэлектрическими свойствами. Предложена одномерная (1D) или двумерная (2D) наноструктура, являющаяся нанопроволокой из кремния, полученной методом безэлектролизного травления или выращенной методом VLS (пар-жидкость-кристалл). Наноструктура имеет шероховатую поверхность и содержит легированный или нелегированный полупроводник. Предложены вариа...

2515969

Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного обращаемого фоторезиста, который после экспонирования через фотошаблон с рисунком микроконтактов подвергается...

2522769

H01L21/441 - осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов

Патенты в этой категории