H01L21/8232 - технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах

Способ изготовления мдп-интегральных схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий стравливание нитридной маски и акисного подслоя с активных областей МДП интегральных схем и формирование подзатворного окисла, отличающийс я тем, что, с целью повышения процента выхода годных схем путем устранения низковольтных пробоев подзатворного окисла, перед формированием подзатворного окисла проводят дополнительную обраб...

928953

Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем

Изобретение относится к микроэлектронике и может бьгть использовано лри создании больших интегральных схем (БИС) и МДП-транзиаорах с поликре««1иевым затвором. Цель изобретения - ловышен е степени интеграции и быародейавия приборов путем уменьшения длины канала транзистора . Управление длиной канала осуществляется путем использования поликремниевого затвора в качеаве твердого иаоч...

1322929

Способ изготовления мдп-транзисторов

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к способам изготовления МДП-транзисторов. Цель изобретения - повышение выходагодных МДП-транзисторов за счет устранения токовых утечек между областями истоков и стоков. Способ включает формирование на кремниевой подложке первого слоя оксида кремния, формирование маски из нитрида кремния, формирование областей полевого...

1473633

Способ изготовления структур мдп-интегральных схем

. Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-ин тегральнык,схем. Цель изобретения - повышение вьпсода годных структур ин тегральных схем и упрощение их изготовления за счет исключения операций травления поликремния при формировании областей плавающего затвора и введения дополнительного слоя торцового оксида кремния на поликр...

1487759

Способ изготовления моп-интегральных схем с поликремниевыми резисторами

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем и их надежности за счет повышения точности согласования сопротивления поликремниевых резисторов и их временной стабильности под токовой нагрузкой. На кремниево...

1575849

Способ изготовления моп-интегральных схем с поликремниевыми резисторами

техник опорнь телей, схем, напрях-сения повыш НИИ те включает формирование на кремниевой подложке слоев изолирующего и затворного окисла кремния, осаждение поликремния , фотогравировку окон в поликремнии под резисторы. Окисляют первый слой поликремния , осаждают второй слой поликремния , фотогравировкой формируют в нем резисторы, оса.ждают нитрид кремния, фотолитографией удаляют...

1609399

Способ изготовления моп бис с прецизионными поликремниевыми резисторами

Использование: в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах. Сущность: в способе, включающем формирование на покрытой диэлектриком полупроводниковой подложке слоя высоколегированного затворного поликремния, удаление слоя затворного поликремния с участков размещения резисторов, осаждение слоя резистивного поликремния и его легирование, формирование рисунка затворов и резисторов фото...

2095886

Способ изготовления конструктивных поликристаллических кремниевых элементов интегральных схем

Изобретение относится к микроэлектронике, используется для изготовления поликристаллических кремниевых затворов полевых транзисторов и межсоединений компонентов в больших интегральных схемах, а также в качестве эмиттеров биполярных транзисторов, резисторов и в качестве материала фотоприемников. Слой кремния наносят посредством магнетронного распыления кремниевой мишени в вакууме. Материал имеет бо...

2321920

Устройство формирования изображения, система формирования изображения и способ изготовления устройства формирования изображения

Изобретение относится к устройству формирования изображения, системе формирования изображения и способу изготовления устройства формирования изображения. Изобретение позволяет уменьшить изменение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Устройство формирования изображения включает в себя множество пикселей, каждый из которых включает в себя полевой транзистор с управляющим...

2638108

H01L21/8232 - технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах

Патенты в этой категории