H01L27/15 - с полупроводниковыми компонентами, предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер

Электродное средство с функциональным элементом или без него и электродное устройство, сформированное из электродного средства с функциональными элементами

Изобретение относится к электродному средству для адресации функционального элемента. Предложенное средство включает первый и второй электрод, расположенный поверх первого. На пересечении первого и второго электродов расположен электроизоляционный материал так, что электроды перекрывают один другой без непосредственного физического и электрического контакта, образуя структуру в виде мости...

2216820

Светодиодная лампа

Изобретение относится к светодиодным лампам для освещения промышленных, общественных, офисных и бытовых помещений. Светодиодная лампа содержит алюминиевый корпус-радиатор с блоком питания в его верхней части, образованный полым телом вращения с наружными радиально-продольными ребрами, образующими контур лампы, снабженный внутренними радиально-продольными ребрами с окнами между ними и кольцевой пл...

2418345

Осветительное устройство и устройство жидкокристаллического дисплея

Изобретение относится к осветительным устройствам и устройствам подсветки жидкокристаллических дисплеев на светоизлучающих диодах (СИД). Сборка 20 СИД, формирователь СИД, включающий в себя FET 42 (полевой транзистор, транзистор регулирования электрического тока, секция возбуждения) и терморезистор 30 расположены на подложке 10. Множество таких сборок 20 СИД расположены на подложке 10, в силу чего...

2420930

Нитридное полупроводниковое устройство

Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. Сущность изобретения: нитридное полупроводниковое устройство содержит слой нитридного полупроводника n-типа, слой нитридного полупроводника p-типа, активный слой, сформированный между слоями нитридного полупроводника n-типа и p-типа посредством поочередного наложения слоев с квантовыми ямами и квантовых барьерных с...

2426197

Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером

Осветитель включает источник первичного излучения, теплоотводящее основание, конвертер излучения и светоотражатель. Источник первичного излучения состоит из одного или нескольких светоизлучающих диодов. На поверхности теплоотводящего основания закреплены указанные светоизлучающие диоды. Конвертер излучения выполнен в виде слоя конверсионного материала, преобразующего первичное излучение, попадающ...

2452059

Массив полупроводниковых светоизлучающих элементов и способ его изготовления

Изобретение может быть использовано в системе связи, называемой системой с мультиплексированием по длине волны (WDM), что является выгодным способом связи на больших расстояниях. Согласно изобретению массив полупроводниковых светоизлучающих элементов содержит: полупроводниковую кристаллическую подложку; изолирующую пленку, расположенную на поверхности подложки, причем изолирующая пленка разделена...

2469435

Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером

Изобретение относится к источникам белого света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов с удаленными фотолюминофорными конвертерами. Сущность изобретения: осветитель содержит теплоотводящее основание с отверстием для выхода излучения, закрепленные по периферии отверстия светоизлучающие диоды, на удалении от которых последовательно расположены конвертер излучения, выполненный в виде вог...

2475887

Светоизлучающее устройство

Изобретение относится к светоизлучающему устройству, включающему в себя комплект из структуры светоизлучающих диодов (СИД) и светопроницаемого устройства. Светопроницаемое устройство включает в себя, по меньшей мере, первую и вторую секции, причем цвет света от упомянутых первой и второй секций отличается друг от друга. Кроме того, структура СИД включает в себя, по меньшей мере, первую и вторую...

2484552

Многоэлементный цветной источник излучения

Изобретение относится к светодиодным осветительным устройствам, а именно к многоэлементным цветным источникам излучения, используемым для решения задач колориметрии в устройствах технического зрения. Многоэлементный цветной источник излучения содержит множество светодиодных источников света различных цветов для получения света смешанного цвета, оптически сопряженных с экраном, и устройство управ...

2494495

Полупроводниковый источник излучения

Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем. Изобретение может быть использовано также в СВЧ микроэлектронике при создании монолитных усилителей мощности и в силовой электронике при создании...

2511280

Способ изготовления светодиода

Изобретение относится к электронной полупроводниковой промышленности и может быть использовано в производстве светодиодных источников света. Согласно способу изготовления светодиода,полупроводниковый излучатель и прозрачный световыводящий элемент соединяют в единый излучающий элемент, на наружную поверхность световыводящего элемента наносят защитное просветляющее покрытие. Защитное просветляющее...

2574424

Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки. Гетеропереходный пакет включает в себя нелегированный слой нитрида галлия (GaN) и легированный слой нитрида алюминия-галлия (AlGaN) на нелегированном слое GaN. Пакет светоизлучающего д...

2615215

Источник излучения, случайный лазер и экран

Использование: для изготовления твердотельных источников излучения. Сущность изобретения заключается в том, что источник излучения содержит полупроводниковую матрицу с одним или множеством включений (макро- или микро-), выполненных из материала (или материалов), электролюминесценция которого (или каждого из которых) возбуждается при энергии носителей тока меньше ширины запрещенной энергетической з...

2644984

Материал для эффективной генерации терагерцового излучения

Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения. Материал предназначен для использования в системах импульсной и непрерывной (фотомиксинг) генерации ТГц излучения. Предложенный материал представляет собой фотопроводящий слой InxGa1-xAs с мольной долей индия (х)≥30%, эпитаксиально...

2650575

Патенты в этой категории