H01L29/36 - отличающиеся концентрацией или распределением примесей

Патент ссср 190489

OnИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 23.Х1.1962 (№ 804401/26-25) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 29.Х11.1966, Бюллетень № 2 Кл. 21g, 11/02 Ъ1ПК H 01! УДК 546.28.002.2: :621.382,2(088.8) Комитет па делам иаобретеиий и открытий при Совете Министров СССР Дата оп...

190489

Полупроводниковый прибор

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ И ПАТЕНТУ 360800 Со!оа Соеетсккк Социаяистичоских Республик Заявлено 15.Х11.1966 (№ 1118225/26-25) Приоритет 20.XII.1965, № 79059/65, Япония М. Кл. Н Oll 3/12 Н 03b 7/06 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 28,Х1.1972. Бюллетень № 36 УДК 621.382.2 (088.8) Дата опубликования описания 18.1.1973 Авторы изобретения...

360800

Полупроводниковый стабилитрон

""»"" 0- « айескд библиотека Mgp, Союз Советских Социалистических Республик 11> 546046 ОЛ ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 29.02.68 (21) 1222368/26-25 (51) М.Кл.-" H 01 Ь 29/36 с присоединением заявкивЂ” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 05.02.77. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания 23.03.77 Хосуд...

546046

Силовой быстровосстанавливающийся диод

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрац...

1101098

Мдп-транзистор

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах, пригодных для работы в широком температурном диапазоне в том числе и при сверхнизких (до 4,2 К) температурах и малых напряжениях. Целью изобретения является уменьшение минимального напряжения на стоке, обеспечивающего работу транзистора при криогенных температурах. МДП-транзистор им...

1355061

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления

Использование: в производстве мощных кремниевых резисторов и шунтов таблеточного исполнения, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур. Техническим результатом изобретения является повышение максимально допустимой температуры мощного кремниевого резистора до 240oС при сохранении температурной характеристики сопротивления в пределах 10%...

2206146

Полупроводниковый элемент и способ его изготовления

Использование: в силовой полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового элемента с катодом и анодом из полупроводниковой пластины сначала образуют на этой пластине стоповый слой, затем обрабатывают ее на стороне катода и только после этого уменьшают ее толщину, в результате чего от стопового слоя остается только концевая область отсечки. При этом стоповы...

2274929

Туннельный полевой нанотранзистор с изолированным затвором

Изобретение относится к области наноэлектроники. Сущность изобретения: в туннельном полевом нанотранзисторе с изолированным затвором, реализующем эффективное управление туннельным электрическим током, протекающим между двумя металлическими или сильнолегированными полупроводниковыми электродами, разделенными туннельно-прозрачной для электронов диэлектрической прослойкой при приложении между после...

2354002

H01L29/36 - отличающиеся концентрацией или распределением примесей

Патенты в этой категории