Патент ссср 190489
Патент 190489
Классы МПК
Патент ссср 190489
Иллюстрации
Реферат
OnИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сова Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 23.Х1.1962 (№ 804401/26-25) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 29.Х11.1966, Бюллетень № 2
Кл. 21g, 11/02
Ъ1ПК H 01!
УДК 546.28.002.2:
:621.382,2(088.8) Комитет па делам иаобретеиий и открытий при Совете Министров
СССР
Дата опубликования описания 20.II.1967
СПОСОБ ИЗГОТОВЛEHИЯ КРИСТАЛЛОВ KPEMHИЯ
Предмет изобретения
Известны способы изготовления кристаллов (или пластин) полупроводникового материала с обедненным носителями заряда приповерхностным слоем, служащих для изготовления полупроводниковых приборов, путем высокотемпературного отжига или путем легирования их компенсирующей примесью. Однако использование известных способов не позволяет получить достаточное «обеднение» приповерхностного слоя кристаллов.
Предложенный способ отличается от известных тем, что в кристаллы кремния перед отжигом вводят донорную примесь в концентрациях от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, содержащихся в кремнии. Способ позволяет значительно увеличить сопротивление приповерхностного слоя кристаллов кремния и тем самым повысить электропрочность и к.п.д. диодов.
Для изготовления кристаллов в кремний с концентрацией алюминия или бора от 10» до
10гт см а вводят донорную примесь, например фосфор, мышьяк или сурьму в соотношении от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов алюминия или бора, затем слиток режут на пластины и проводят их высокотемпературный отжиг.
Предлагаемый способ увеличивает в 5 — 10 раз эффективность высокотемпературного от5 жига и в результате на поверхности кристаллов кремния образуется слой высокоомного материала. Полученные предложенным способом кристаллы служат для изготовления полупроводниковых приборов, например диоlo до в.
Способ изготовления кристаллов кремния с обедненным носителями заряда приповерхно15 стным слоем, содержащим акцепторную примесь, например алюминий или бор, в концентрациях от 10тв до 10т слт а, для полупроводниковых приборов, например диодов, путем высокотемпературного отжига, отличающийся
20 тем, что, с целью увеличения сопротивления приповерхностного слоя кристаллов, в кремний перед отжигом вводят донорную примесь в соотношении от 0,1 до 0,4 к концентрации атомов акцепторной примеси.