H01L31/10 - отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы

Полупроводниковый фотоприемник

О П И С А Н И Е 5 8вгз ИЗОБРЕТЕН ИЯ Ссиюэ Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свил-ну (22) Заявлено 17,09 74 (21) 2060998/25 с присоединением заявки Ме (23) Приоритет(51) M. Кл Н 01 1 31/10 Государственный комитет Совета Министров СССР AD делам изооретений и открытий (43) ОпУбликовано25.07.77 Бюллетень М.27 (53) УДК621.3...

528823

Позищионно-чувствительный фотоприемник

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ1ЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советекни Соцналнстнчеакнк Реапубпнк

622368

Фототранзистор

ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП - структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к изл...

862753

Способ регистрации ик-излучения

СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН А1 (51) 5 Н О1 L 31/10 ЮЭНМ с л: %МИ ! ОП=;.А ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н A BTQPCH0MY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР (46) 23.04.91. Бюл. Ф 15 (21) 4204523/25 (22) 04.03.87 (72) Я.A,Îêñìàí, И.Я,Мармур, С,П.Ашмонтас и Й,Й.Градаускас (53) 621.382.(088.8) (56) Фотоприемники видимого и ИК-диа...

1478918

Способ преобразования инфракрасного излучения

(5I)5 Н 01 L 31/10 „", Ф «;г7;„>„ г., г,, .@ ф, СОЮЗ СОБЕТРЖИХ СОЦИДЛИСТИЧЕСНИХ >. - = < >1ф . РЕСПУБЛИН . =.Г ГОСУДА СТНЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ ССа (1it,-ting cliocles-, Appl Phys Lett, 1983, v.< 2, N 3, ?76-278, (5 4 ) C110(."ОБ 11РГОБРАЗОБАНИЯ ИНФРАКРАС- . НОГО ИЗЛУ IГНИЯ (57) Изобретение относится к полупроводникогой оптоэлектронике, конкр...

1538834

Твердотельное устройство

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в системах преобразования информации. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей устройства за счет формирования дополнительных цепей управления. Твердотельное устройство содержит структуру с туннельным р-п-переходом, образованным подложкой р44(п44)-типа и п4+(р+4)-слоем, расположенным...

1749955

Фототранзистор

Использование: полупроводниковая микрофотоэлектроника, регистрация видимого оптического излучения. Сущность изобретения: фототранзистор выполнен в тонком полупроводниковом слое на изолированной подложке и содержит ласти стока и истока с контактами к ним, р-область канала, над которой расположен изолированный слоем диэлектрика управляющий электрод, соединенный с источником опорног...

1823931

Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения

Использование: микроэлектроника, полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения. Сущность изобретения: полупроводниковый детектор содержит полупроводниковую подложку первого типа проводимости и сформированные в ней две области второго типа проводимости и область первого типа проводимости с высокой концентрацией примеси, а также область первого типа проводимости с высокой концентрацие...

2061282

Диодная фотоприемная ячейка для матричного фпу

Использование: в микроэлектронике. Сущность: в активном слое полупроводника формируют последовательность включенные через туннельно прозрачную структуру два фотодиода, в каждом из которых поглощается половина падающего светового потока. 2 ил. Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции фотоприемной ячейки на основе диодной структуры. Диодная фотоприемная яч...

2080691

Полупроводниковый микроканальный детектор с внутренним усилением сигнала

Устройство может использоваться для регистрации слабых потоков световых квантов, гамма-излучения и ядерных частиц. Сущность изобретения: на поверхности полупроводниковой подложки детектора сформировано не менее двух отдельных полупроводниковых слоев с противоположным подложке типом проводимости. В каждом полупроводниковом слое сформирована полупроводниковая область с противоположным к пол...

2212733

Интегральная схема оптического датчика вектора перемещения и скорости наблюдаемого объекта

Настоящее изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в датчиках величины и направления перемещения и скорости наблюдаемых объектов. Технический результат - увеличение люксвольтовой чувствительности фотосенсоров в датчике и соответствующее увеличение предельной регистрируемой скорости перемещения наблюдаемых объектов. Сущность: интегральная схема оптического...

2232997

Датчик оптического излучения и система контроля оптического излучения с его использованием

Изобретения относятся к конструкции и технологии изготовления полупроводниковых систем дозиметрического измерения оптического излучения (ОИ) в широком и ограниченном диапазонах длин волн. Сущность: датчик ОИ выполнен в виде сэндвич-структуры слоев сегнетоэлектрика и полупроводника. Сегнетоэлектрическая пленка сэндвич-структуры выполнена из поляризованного нелегированного материала, а полупроводник...

2281585

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения, включающий подложку n+-типа проводимости, эпитаксиально выращенный на ней активный слой n- или р-, или ni-типа проводимости, на поверхности которого сформированы полосковые сигнальные электроды р+-типа проводимости с омическими контактами, разделенными друг от друга канавками. Канавки вытравлены на глубину 20-50% от толщины активного...

2306633

Способ работы модуля формирования сигнала изображения и устройство для его осуществления

Изобретение относится к работе модуля формирования сигнала изображения и устройства для формирования сигнала изображения. Модуль формирования сигнала изображения содержит фотозатвор, фотодиод, скомпонованный с фотозатвором (212), и первый переключатель (M1). Один вывод первого переключателя соединен с опорным напряжением (Vcc), a другой вывод - с фотодиодом (212). Способ работы модуля формирован...

2352080

Фототранзистор и оснащенное им дисплейное устройство

Изобретение относится к фототранзистору и к дисплейному устройству, содержащему этот фототранзистор. Фототранзистор согласно изобретению содержит электрод затвора, сформированный на изолирующей подложке; изолирующую пленку затвора, которая покрывает электрод затвора; полупроводниковый слой, который сформирован на поверхности изолирующей пленки затвора и имеет область канала, противоположную элек...

2488193

Устройство для считывания изображения, электронное устройство, фотогальванический элемент и способ изготовления устройства для считывания изображения

Изобретение относится к устройству для считывания изображения и способу его изготовления, видеокамере, фотогальваническому устройству. Заявленное устройство для считывания изображения содержит модуль считывания изображения, в котором множество пикселов, воспринимающих падающий свет, расположены на фотоприемной поверхности в считывающей области подложки, в котором пиксел включает группу приборов...

2498459

Модулятор электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового диапазона для систем высокоскоростной беспроводной связи

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к модуляторам электромагнитного излучения, в частности, работающим в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот (100-10000 ГГц). Изобретение может использоваться в областях науки и техники, использующих данные диапазоны частот, в частности, при создании систем высокоскоростной беспроводной связи. Сущностью изобретения является устройство для...

2626220

Фотопреобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs. Толщина слоя (...

2646547

Патенты в этой категории