Способы формирования противоотражающих структур для датчиков изображения на основе кмоп-технологии
Изобретение относится к способам изготовления противоотражающих структур для датчиков изображения на основе комплементарных металлооксидных полупроводников. В изобретении описано формирование на оптическом интерфейсе между двумя слоями, имеющими различные показатели преломления, выпуклостей (5), имеющих меньшие размеры по вертикали (h) и по горизонтали (р), чем диапазон длин волн света, различим...