H01S3/18 - (Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01S 5/32)

Способ усиления и модуляции света

пакта Ссеетсми2 Сааиалистическис Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 27.XI I.1968 (№ 1294282/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 23.1!1.1973. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 26.VI.1973 М. Кл. G 02f 1/00 Н 0 ls ЗИ18 Н Oll 15/00 Комитет по лолам иаабретаиий и открытий при Совета Микистра...

375613

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенно...

1165211

Способ изготовления полупроводникового инжекционного лазера

(19)SU(11)1204101(13)A1(51) МПК 6 H01S3/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптическ...

1204101

Лазер

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам, и может быть использовано при изготовлении устройств оптической связи, оптоэлектроники, для изучения быстропротекающих процессов. Изобретение позволяет повысить КПД устройства. Лазер содержит излучатель 2, представляющий собой оболочку 3 из твердого, оптически прозрачного на длине волны излучения диэлектрика, в которой...

1356927

Лазер с периодической структурой

Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пG...

1378740

Перестраиваемый полупроводниковый лазер субмиллиметрового диапазона

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в технике связи и спектроскопии. Целью изобретения является расширение диапазона непрерывной и линейной по магнитному полю перестройки частоты излучения. Расширение диапазона перестройки достигнуто благодаря найденным экспериментально кристаллографической и взаимной ориентациям электрического и магнитного полей,...

1597071

Полупроводниковый лазер

Изобретение может быть использовано при исследовании физических явлений в кристаллах в условиях интенсивного двухфотонного возбуждения, при разработке мощных компактных полупроводниковых лазеров с оптическим и электронным возбуждением . Изобретение позволяет снизить порог и повысить КПД и мощность генерации при одновременном увеличении лучевой прочности активного тела. Полупровод...

1622913

Импульсный излучающий модуль

Изобретение относится к импульсной техн ике и может быть использовано , например, в системах оптической локации. Целью изобретения является повышение помехозащищенности при одновременном снижении габаритов и массы. Устройство содержит лавинный транзистор lj резисторы 2 и 8, провода Зи 10линии связи, конденсаторы 4 и 6, клемму 5, излучающий диод 7, шину 9 питания. Повышение помехо...

1631645

Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком и способ его изготовления

Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Целью изобретения является увеличение выходной мощности излучения лазера. Благодаря замене одного из зеркал резонатора лазера поверхностью в виде микрорельефа из уголковых отражателей, усиливается излучение в направлении оси резон...

1653514

Устройство стабилизации по мощности полупроводникового лазера

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при построении генераторов импульсов стимулированного излучения со стабильной амплитудой . Целью изобретения является повышение точности поддержания мощности выходных световых импульсов полупроводникового лазера. Устройство содержит полупроводниковый излучатель 1, фотоэлектрический приемник 2, усилительный элеме...

1704207

Стабилизатор мощности излучения полупроводникового лазера

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например , в устройствах измерительной техники и автоматики. Стабилизатор мощности излучения полупроводникового лазера содержит 1 регулирующий элемент (1), 1 шину (2) источника питания, 1 лазерный диод (3), 1 фотодиод (4), 1 переменный резистор (5), 1 усилитель (6) обратной связи, делитель (7) напряжения. Устро...

1758744

Полупроводниковый лазерный прибор

Использование: в области квантовой электроники, для создания функциональных элементов полупроводниковой оптоэлектроники. Сущность изобретения: прибор содержит полупроводниковую пластину с p-n-переходом и оптическим резонатором и блок питания, включающий одновитковые импульсный соленоид и катушку индуктивности, причем катушка индуктивности соединена с пластиной и они помещены внутрь витка....

1793819

Полупроводниковый лазер с квантово-размерным эффектом

Использование: приборы квантовой электроники, в качестве источника когерентного излучения. Сущность изобретения: на широкозонные полупроводниковые слои ри п-типа нанесены слои из материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП), причем ширина запрещенных зон материалов слоев активной области не превышает удвоенного значения ширины сверхпроводнико вой энергетической щели...

1806434

Способ эксплуатации лазерной электронно-лучевой трубки

Изобретение: лазерные электронно-лучевые трубки квантоскопы. Сущность изобретения: способ эксплуатации лазерной ЭЛТ включает сканирование лазерной мишени электронным пучком и импульсную модуляцию тока пучка. Модуляцию производят с целью повышения мощности излучения прямоугольными импульсами, скважность которых Q не менее 2 и связана с амплитудным значением тока пучка lамп мА и номинальны...

1825258

Инжекционный лазер

Использование: электронная техника, а именно, конструкция инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности ( 106 Вт/см2) и с ограниченной по размерам излучающей площадкой. Сущность изобретения: по крайней мере на одной из граней резонатора инжекционного лазера выполнено покрытие, состоящее из переходного слоя определенной толщины, примыкающего к основному материалу...

1831211

Способ изготовления полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком

Использование: при создании мощных полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком большого сечения. Сущность изобретения: на полупроводниковой пластине их теллурида кадмия с оптическим резонатором, состоящим из двух зеркал, одно из которых глухое, последнее изготавливают на поверхности с кристаллографической ориентацией (III) путем травления этой поверхности в смеси азота и солян...

2013837

Лазерная гетероструктура

Использование: в волоконно-оптических линиях связи и при решении задач, связанных с охраной окружающей среды. Сущность изобретения: в гетероструктуре на основе твердых растворов узкозонных соединений AIIIBV, состоящей из активной области, расположенной между двумя эмиттерами с омическими контактами к ним, эмиттеры выполнены из материала, ширина запрещенной области которого не менее чем в...

2025010

Способ изготовления лазерной мишени электронно-лучевой трубки на основе монокристалла полупроводника типа a2b6

Использование: технология изготовления лазерных электронно-лучевых трубок (ЛЭЛТ), в частности активных элементов или лазерных мишеней ЛЭЛТ. Сущность изобретения: проводят химико-механическую полировку первой поверхности исходной полупроводниковой пластины, в качестве которой используют гетероструктуру, состоящую из монокристаллической пленки прямозонного полупроводника типа A2B6, выращен...

2032242

Полупроводниковый лазер

Использование: оптоэлектроника, проекционные устройства, медицина. Сущность: полупроводниковый лазер содержит жгут волоконно-оптических световодов (ВС) с полированными торцами, перпендикулярными к оптическим осям ВС, имеющих первую и вторую регулярные части с диаметром основной моды a1 и a2 и длиной и соответственно и плавную переходную область между ними. Причем скорость изменения рад...

2034385

Лазерный сканер

Использование: в системах отображения на экранах коллективного пользования знаковой и графической информации в реальном масштабе времени, в составе технологического оборудования в системах автоматизированного проектирования и изготовления двухмерных и трехмерных изделий, в качестве диагностического и лечебного средства в составе медицинского оборудования, а также в сканирующих оптических...

2051448

Полупроводниковый усилитель света

Использование: изобретение относится к области полупроводниковой квантовой электроники и может быть использовано при создании устройств передачи, переключения и усиления сигналов в оптических линиях связи, а также для разработки элементов вычислительной техники. Сущность изобретения: полупроводниковый усилитель света состоит из гетероструктуры с квантоворазмерными слоями. Гетероструктура...

2062543

Лазерный электронно-лучевой прибор

Изобретение относится к экранирующим полупроводниковым лазерам с электронной накачкой - лазерным электронно-лучевым приборам, которые применяются, в частности, в системах отображения информации и медицинской технике. Сущность изобретения: лазерный электронно-лучевой прибор содержит электронную пушку и лазерный экран, который, содержит полупроводниковую пластину с нанесенными на ее поверхн...

2080718

Лазерная электронно-лучевая трубка

Использование: изобретение относится к сканирующим полупроводниковым лазерам с электронной накачкой - лазерным электронно-лучевым трубкам и может быть использовано, в частности в системах отображения информации на экранах коллективного пользования. Сущность изобретения: для повышения КПД генерации, долговечности и однородности параметров в лазерной электронно-лучевой трубке, содержащей в...

2100882

H01S3/18 - (Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01S 5/32)

Патенты в этой категории