Способ эксплуатации лазерной электронно-лучевой трубки

Реферат

 

Изобретение: лазерные электронно-лучевые трубки квантоскопы. Сущность изобретения: способ эксплуатации лазерной ЭЛТ включает сканирование лазерной мишени электронным пучком и импульсную модуляцию тока пучка. Модуляцию производят с целью повышения мощности излучения прямоугольными импульсами, скважность которых Q не менее 2 и связана с амплитудным значением тока пучка lамп мА и номинальным значением тока высоковольтного источника питания lном мА, следующим соотношением: Q = lамп/lном 2 ил.

Изобретение относится к лазерным ЭЛТ-квантоскопам, в особенности к технологии эксплуатации мощных лазерных ЭЛТ. Цель избретения повышение КПД и средней мощности излучения лазерной ЭЛТ. Указанная цель достигается тем, что в предлагаемом способе эксплуатации лазерной ЭЛТ мишень лазерной ЭЛТ возбуждается сканирующим электронным пучком, ток которого моделируется, причем, согласно изобретению, модуляция тока пучка осуществляется прямоугольными импульсами подсвета таким образом, что скважность импульсов подсвета Q, амплитудное значение тока пучка Iамп и номинальное значение тока высоковольтного источника питания лазерной ЭЛТ Iном связаны соотношением Q 2 Предложенное техническое решение основано на результатах экспериментальных исследований зависимости Ризл и Ризл от режима накачки. Эта зависимость обычно описывается т.н. ВАХ ватт-амперной характеристикой, устанавливающий связь между током пучка и мощностью излучения (лазерные ЭЛТ эксплуатируются при постоянном значении V). ВАХ известных лазерных ЭЛТ при оптимальных ком с достаточной для практических целей точностью аппроксимируются линейной зависимостью [2,3] вида Ризл=Кlппор, К т.н. дифференциальное значение КПД; Рпор пороговое значение мощности пучка. Следует отметить, что в известных лазерных ЭЛТ электронно-оптические системы формируют пучки, диаметр которых практически не зависит от Iп, и плотность тока пучка jп пропорциональна значению Iп. Значение К и Рпор зависят от температуры ЛМ в данной точке ЛМ в момент возбуждения Тлм. Известно [3] что Тлм= Ткр+ Тср+ Тимп, где Ткр- температура криостата ЛМ; Тср среднее значение перегрева поверхности ЛМ относительно Ткр; Тимп импульсное значение перегрева данной точки ЛМ в момент возбуждения. Значение Тср определяется усредненным по времени значением мощности накачки Vlп и тепловым сопротивлением между возбуждаемой поверхностью ЛМ и криостатом [3] Тср UIп. Значение Тимпопределяется адиабатическим разогревом возбуждаемой точки ЛМ за время, равное ком [3] T , где Ср теплоемкость кристалла ЛМ; m масса кристалла в объеме возбужденной области. Поскольку КПД ЛМ и лазерной ЭЛТ в целом 1 , повышения значения Ризл нужно добиваться повышением значения Iп. Однако при этом растут значения Тср и Тимп и, соответственно, растет значение Iпор~ (Тсримп)3 и значение Рпор. Из-за сверхлинейной зависимости Iпорот ( Тср+ Тимп) рост Iп приводит к снижению КПД, т. е. с ростом мощности накачки UIп мощность излучения Ризл растет сублинейно. Хотя рост Тимп с увеличением Iп может быть компенсирован выбором времени коммутации комопт, значение Тср не зависит от ком и зависимость Тcp~ UIп сохраняется. Таким образом, даже при оптимальных значениях ком и Vск попытка увеличить среднюю мощность излучения ЛМ за счет увеличения Iпоказывается неэффективной. На фиг.1 изображены ВАХ лазерной ЭЛТ с ЛМ из Сd S0,6Se0,4 при Ткр=80к: кривая 1 получена в импульсно-сканирующем режиме возбуждения при длительности импульса подсвета u5 мкс и частоте следования fu=5 КГц; кривая 2 получена в непрерывном режиме ("белый растр"). В обоих случаях ком=опт(Vск=Vопт). Сравнение кривых 1 и 2 (фиг.1) иллюстрирует влияние Тср на КПД: несмотря на оптимальные значения Vск и ком. КПД в случае кривой 2 примерно в 1,5 раза ниже КПД в случае кривой 1; в случае кривой 1 значение Тср пренебрежимо мало (не более 1 К); в случае кривой 2 Tcp50 К, при этом значения Тимп в обоих случаях одинаковы. Складывается порочный круг: рост Ризл при прочих равных условиях возможен только за счет роста Iп, но рост Iп приводит за счет перегрева к сверхлинейному росту Рпор и, соответственно, сублинейному росту Ризл с выходом кривой Ризл (Iп) на плато. Анализ кривых фиг.1 приводит к выводу: для обеспечения высокого значения КПД, характерного для импульсно-сканирующего режима возбуждения, и одновременно высокой средней мощности излучения Ризл режим возбуждения следует сделать импульсным, причем среднее значение тока Iп не должно превышать номинального тока источника питания, а импульсное значение тока пучка Iамп должно быть много больше порогового. В этом случае импульсный перегрев Тимп за счет выбора ком останется неизменным, средний перегрев Тср из-за постоянства значения Iп также не изменится, зато превышение тока накачки Iамп над пороговым значением для данного перегрева (Тср+ Тимп) будет значительно большим, чем при работе в режиме "белого растра". Если 20, то характерный рост Iпор за счет перегрева в 2-3 раза лишь незначительно изменяет определяющий КПД ЛМ множитель 1 Модулировать ток пучка следует прямоугольными импульсами подсвета, т.к. в этом случае минимизируются потери, связанные с медленным нарастанием тока на фронтах импульсов. При условии = Iном режимы работы высоковольтного источника питания и устройства криостатирования остаются номинальными, а КПД ЛМ и Ризл повышаются за счет большего, чем в режиме "белого растра", значения превышения . При измерениях мощности излучения квантоскопов в предложенных режимах использовались стандартные методы и приборы коаксиальные фотоэлементы, фотодиоды и калориметры. Поскольку ошибка измерений мощности излучения этими приборами не превышает 10% критерием при экспериментах являлось увеличение Ризл в импульсном режиме по сравнению с Ризл в непрерывном режиме ("белом растре") не менее, чем на 10% В экспериментах использовались квантоскопы типов 5КЛ2, 5КЛ4, 5КЛ3 с ЛМ из СdSхSe1-х(х=0-1), ZnхCd1-хS (х=0-0,12), ZnSе, GaАs. Увеличение Ризл в импульсном режиме (Q>1) на 10% по сравнению с Ризл в непрерывном режиме (Q=1) наблюдалось при Q>2. Это объясняется общим для квантоскопов характером зависимости порогового тока от температуры ЛМ: Iпор Т3. На фиг.2 приведены экспериментальные зависимости Ризл от Iп в следующих режимах: кривая 1 непрерывный режим ("белый растр", Q=1); кривая 2 ток пучка промодулирован прямоугольными импульсами (Q=4), имп=3 мкс, fимп=8,3104 Гц. Параметры лазерной ЭЛТ при эксплуатации по предложенному способу иллюстрируются примерами. В примерах использованы результаты измерений Ризл квантоскопа типа 5КЛЗ с ЛМ из Ткр=77К; U=64 кВ; Iном=2мА, ком=30 нс. П р и м е р 1. Режим непрерывный ("белый растр"): = Iном= 2 мA(Q 1) = 2,2 Вт П р и м е р 2. Режим импульсный: имп=5 мкс, fимп=1,18105 Гц. = Iном= 2 мA; Iамп= 3,4 мА(Q=1,7); = 2,48 Вт П р и м е р 3. Режим импульсный: имп=5 = Iном= 2 мA; Iамп= 4 мА(Q=2); = 2,65 Вт П р и м е р 4. Режим импульсный, имп=5 = Iном= 2 мA; Iамп= 5 мА(Q=2,5); = 2,95 Вт П р и м е р 5. Режим импульсный: имп=5 = Iном= 2 мA; Iамп= 6 мА(Q=3); = 3,35 Вт Из приведенных примеров видно, что эксплуатация лазерной ЭЛТ по предлагаемому способу, включающему модуляцию тока пучка прямоугольными импульсами, позволяет при неизменной средней мощности накачки увеличивать среднюю мощность излучения ЭЛТ за счет увеличения КПД в 1,2-1,5 раза (дальнейшее увеличение значений Q и Iамп было ограничено возможностями электронного прожектора ЭЛТ). В ходе описанных экспериментов при фиксированных значениях Q исследовалось влияние абсолютных значений имп на Ризл. В диапазоне изменений имп от 20 нс до 12 мкс влияния значения имп на Ризл при фиксированном значении Q не было обнаружено.

Формула изобретения

СПОСОБ ЭКСПЛУАТАЦИИ ЛАЗЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ, включающий сканирование лазерной мишени пучком быстрых электронов и импульсную модуляцию тока пучка, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и мощности излучения, импульсную модуляцию тока пучка осуществляют прямоугольными импульсами подсвета со скважностью не менее 2, при этом скважность импульсов подсвета Q, амплитудное значение тока пучка Iамп, мА, и номинальное значение тока высоковольтного источника питания лазерной ЭЛТ Iном, мА, выбраны из соотношения Q=Iамп/Iном.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2