PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Иллюстрации к патенту 519045

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы

Способ селективного наращивания полупроводниковых однослойных и многомлойных эпитаксильных структур из газовой фазы (патент 519045)