Иллюстрации к патенту 2393587

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора