PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Иллюстрации к патенту 2581393

Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом

Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом (патент 2581393)