Иллюстрации к патенту
2606174
Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур