САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR)

Осветительное устройство содержит монтажную подложку, имеющую монтажный участок с боковыми стенками, первое и второе углубления, сформированные вокруг монтажного участка, и первую и вторую канавки, проходящие между монтажным участком и первым и вторым углублениями. Устройство включает также первый и второй контактные столбики, сформированные на нижней поверхности монтажного участка, первую и втору...

Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. Согласно одному из аспектов изобретения при выращивании монокристалла нитрида сначала подготавливают кремниевую подложку, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), на ней формируют первый нитридный буферный слой, на котором формируют аморфную ок...

Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. Сущность изобретения: в способе выращивания многослойной структуры на основе InGaN подложку размещают в ростовой камере аппарата плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии, оборудованного активатором азота, для подготовки к выращиванию слоя нитрида элемента III группы. Поток активированного азота направляют на подло...

Светоизлучающее устройство включает в себя первый и второй объемные резонаторы. Первый объемный резонатор имеет активный слой, в котором свет генерируется при электрическом возбуждении. Свет с соответствующей длиной волны, генерируемый из активного слоя, усиливается второй структурой распределенного брэгговского отражателя и металлическим отражающим слоем, усиленный свет проходит во второй объемны...

Нитридный полупроводниковый светоизлучающий прибор включает в себя: нитридную полупроводниковую область n-типа, активный слой, сформированный на нитридной полупроводниковой области n-типа, и нитридную полупроводниковую область р-типа, сформированную на активном слое. Нитридная полупроводниковая область р-типа имеет многослойную структуру, в которой наслоены по меньшей мере две пары легированных...

Изобретение относится к нитридным полупроводникам р-типа проводимости и светоизлучающим приборам с их использованием. Сущность изобретения: способ изготовления нитридного полупроводника р-типа, включающий в себя: выращивание нитридного полупроводника р-типа с многослойной структурой, имеющей множество высококонцентрированных тонких пленок и множество низкоконцентрированных тонких пленок, располо...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ включает в себя обеспечение изображения слоя полупроводника полупроводникового светоизлучающего прибора, преобразование этого изображения в двоичное изображение, получение размерности Реньи Dq для степени q в качестве параметра мультифрактального анализа двоичного изображения и определение размерности Реньи Dq в качестве критерия квантовой эфф...