Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН (RU)
Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления
Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. Согласно одному из аспектов изобретения при выращивании монокристалла нитрида сначала подготавливают кремниевую подложку, имеющую поверхность с кристаллографической ориентацией (111), на ней формируют первый нитридный буферный слой, на котором формируют аморфную ок...
2326993