Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Термо А" (RU)

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1 из расплава под высоким давлением инертного газа. Способ осуществляют путем вытягивания тигля с расплавом в холодную зону со скоростью v, при этом сначала осуществляют перегрев расплава и его выдержку, после чего осуществляют рост кристаллов в тигле (1) с термодатчиками (8, 9), расположенными на дне...