Производственное республиканское унитарное предприятие "Завод полупроводниковых приборов" (BY)

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, жидкокристаллических индикаторов (ЖКИ), фотошаблонов и другой продукции. Способ контроля включает освещение контролируемого объекта излучением оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на специальный экран светотеневого...

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет повысить качество системы металлизации за счет снижения ее дефектности и улучшения ее электрических характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых п...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов ИС и дискретных полупроводниковых приборов. Техническим результатом изобретения является расширение технических возможностей способа за счет обеспечения возможности контроля направления вектора механических напряжений. Сущность заявляемого способа контроля механических...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность изобретения: способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин в растворах с рН>7 включает изготовление контрольной кремниевой пластины с измеренным электрическим поверхностным сопротивлением в легирован...

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элемента при создании больших и сверхбольших интегральных схем различного назначения. Поликремниевый резистор содержит область поликремния на изолирующем ее от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрике,...

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технологии изготовления высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано в производстве поликремниевых резисторов как в качестве дискретных элементов, так и в составе интегральных схем. Способ формирования высокоомного поликремниевого резистора включает нанесение поликремниевого слоя на изолирующий его от подложки и эл...