PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов (варианты)

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления КМОП-транзисторов, в частности к способам управления напряжением срабатывания полевого КМОП транзистора. Техническим результатом изобретения является обеспечение управления напряжением переключения полевого транзистора n-типа и p-типа и уменьшения напряжения переключения полевого транзистора n-типа и p-типа с уве...

2393586

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора

Способ формирования полевого кмоп транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, и структура полевого кмоп транзистора

Изобретение относится к области микроэлектроники. Способ формирования полевого КМОП транзистора включает осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной от 1-10 нм, на поверхность которого наносят промежуточный слой из сурьмы (Sb) толщиной 0.15-0.41 нм. Металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi) толщиной от 300-3...

2393587

Устройство для получения и анализа ионов аналита

Устройство для получения и анализа ионов аналита

Устройство для получения и анализа ионов аналита в газовой фазе содержит лазер с рабочей частотой и систему ввода лазерного излучения в область ионизации молекул аналита. Система анализа ионов аналита выполнена в виде корпуса с патрубками для ввода и вывода исследуемого газа, в котором последовательно и соосно расположены узел создания, выделения и транспортировки ионов аналита и дрейф-спектромет...

2399905

Способ получения и анализа ионов аналита

Способ получения и анализа ионов аналита

Способ получения и анализа ионов аналита в газовой фазе заключается в том, что анализируемый газ вводят в оптический резонатор, образованный интерференционными зеркалами, при этом одновременно в оптический резонатор вдоль его продольной оси от лазера с интерференционного зеркала вводят поток лазерного излучения. Частоту лазерного излучения ω преобразовывают нелинейным оптическим элементом до част...

2399906

Способ получения нанопорошка диоксида циркония

Способ получения нанопорошка диоксида циркония

Изобретение может быть использовано при изготовлении керамики, катализаторов, сорбентов. Осаждают гидроксид циркония, затем его сушку и прокаливание проводят одновременно под действием СВЧ-излучения в частотном диапазоне 500-20000 МГц с непрерывной мощностью 3,0-50,0 кВт в течение 5-60 мин. Изобретение позволяет снизить агрегацию нанопорошков диоксида циркония и получать порошки с удельной поверх...

2404125


Способ и устройство для получения мюонографий

Способ и устройство для получения мюонографий

Изобретение относится к ядерной физике, а точнее, к способам получения изображений различных объектов с использованием мюонов космических лучей и предназначено для мониторинга состояния и процессов в окружающей среде. Мюоны космических лучей регистрируют одновременно со всех направлений небесной полусферы сначала в течение подготовительного, затем в течение экспозиционного этапов. При этом для ка...

2406919

Линейный широтно-импульсный преобразователь с двумя выходами на цифровых микросхемах - триггере шмитта и двух инверторах

Линейный широтно-импульсный преобразователь с двумя выходами на цифровых микросхемах - триггере шмитта и двух инверторах

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к широтно-импульсным преобразователям (ШИП) на основе триггеров Шмитта, и может быть использовано при проектировании стабильных импульсных источников питания, в проводах ШИМ двигателей постоянного тока, во времяимпульсных вычислительных системах и других устройствах измерительной техники и автоматики. Технический результат - расширение области...

2409891

Устройство для преобразования двоичного кода в код системы остаточных классов (сок)

Устройство для преобразования двоичного кода в код системы остаточных классов (сок)

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных системах для преобразования двоичных кодов в коды системы остаточных классов (СОК). Техническим результатом является увеличение разрядности преобразуемых в СОК двоичных кодов. Устройство содержит входной регистр, коммутатор, мультиплексор, схему коррекции, два сумматора по модулю, два регистра для фи...

2413279

Способ обнаружения и идентификации скрытых опасных предметов

Способ обнаружения и идентификации скрытых опасных предметов

Использование: для обнаружения и идентификации скрытых опасных предметов. Сущность заключается в том, что образуют и модулируют поток нуклидов водорода, ускоряют их к мишени, генерируют нейтроны на мишени, облучают нейтронами объект контроля, регистрируют гамма-кванты радиационного захвата или неупругого рассеяния и фиксируют времена прихода гамма-импульсов к детектору с заданным энергетическим р...

2427827

Способ получения тонких пленок на основе eus

Способ получения тонких пленок на основе eus

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем. Способ включает формирование на подложке тонкопленочного слоя EuSx путем осаждения в вакууме EuS и серы из разных мишеней и последующий вакуумный отжиг сформированной пленки при температуре, обе...

2428505


Способ получения и анализа ионов аналита

Способ получения и анализа ионов аналита

Изобретение относится к области аналитического приборостроения, к спектрометрии обнаружения паров органических веществ в составе воздуха, а также к области газового анализа для определения микроследов опасных веществ - взрывчатых веществ, наркотиков, токсичных веществ и т.п. Способ получения и анализа ионов аналита включает облучение мишени потоком лазерного излучения. Затем осуществляют ионизаци...

2434225

Устройство для получения и анализа ионов аналита

Устройство для получения и анализа ионов аналита

Изобретение относится к области аналитического приборостроения, в частности к определению микроследов опасных веществ - взрывчатых веществ, наркотиков, токсичных веществ и т.п. - при прохождении контрольных пунктов в аэропортах, железнодорожных вокзалах, выставках, при поиске скрытых закладок взрывчатых и наркотических веществ на таможенных пунктах досмотра, аэропортах, вокзалах, производственных...

2434226

Способ получения аморфного алюмосиликатного адсорбента

Способ получения аморфного алюмосиликатного адсорбента

Настоящее изобретение относится к области получения неорганических адсорбентов. Способ включает приготовление гидрореакционной гетерогенной композиции, содержащей порошок алюминия, метасиликат натрия и воду, и взаимодействие исходных компонентов, при этом в качестве метасиликата натрия используют кристаллогидрат метасиликата натрия в твердом виде. Вначале смешиванию подвергают порошок алюминия и...

2438974

Способ определения компонентного состава природного газа в реальном масштабе времени

Способ определения компонентного состава природного газа в реальном масштабе времени

Изобретение относится к области абсорбционной спектроскопии и может быть использовано для компонентного анализа природного газа и газовых смесей на его основе в реальном масштабе времени. Способ заключается в цикличном во времени или одновременном измерении поглощения излучения анализируемым газом на различных комбинациях длин волн (от восьми до девяти длин волн в каждой комбинации) инфракрасного...

2441219

Ультразвуковое устройство для обработки сварных соединений металлов аустенитного класса в процессе автоматической сварки

Ультразвуковое устройство для обработки сварных соединений металлов аустенитного класса в процессе автоматической сварки

Изобретение относится к области технологии сварки и служит для снятия остаточных напряжений, возникающих в сварных соединениях в процессе автоматической сварки. Устройство содержит ультразвуковой преобразователь, фотоприемники, электронный блок управления, устройства перемещения и прижатия ультразвуковых магнитострикционных преобразователей к свариваемой поверхности, содержащие ЭВМ. Ультразвуково...

2469109


Импульсный генератор качающейся частоты на триггерах шмитта с переключаемым направлением сканирования по частоте

Импульсный генератор качающейся частоты на триггерах шмитта с переключаемым направлением сканирования по частоте

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к импульсным генераторам на триггерах Шмитта, и может быть использовано при тестировании систем, приборов, датчиков и других объектов в устройствах связи, измерительной техники и автоматики, а также в виде отдельных узлов при построении самонастраивающихся систем управления, в биофизических преобразователях информации, выполненных на базе кремн...

2479104