СМОЛЬТЕК АБ (SE)

Изобретение относится с наноструктурам и способам их роста. Сущность изобретения: Способ формирования наноструктуры предусматривает осаждение пакета слоев на проводящей подложке и выращивание наноструктур на упомянутом пакете слоев, при этом упомянутый пакет слоев содержит по меньшей мере один промежуточный слой и слой катализатора, сформированный на упомянутом по меньшей мере одном промежуточном...

Изобретение может быть использовано при изготовлении аналоговых и/или цифровых электронных схем. Наноструктурное устройство (105) с множеством наноструктур (101) получают путём осаждения нижнего слоя (103), содержащего кристаллографическую структуру зерен с первым средним размером, на подложке (102), последующего осаждения слоя (104) катализатора, содержащего кристаллографическую структуру зерен...