Федеральное государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" Московского государственного института электронной техники (RU)

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый жертвенные слои до подложки в окнах фоторезиста, после чего формируют нанослой, удаляют нанослой и второй жертвен...